Semicera-Siliziumwafer werden sorgfältig gefertigt und dienen als Grundlage für eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen, von Mikroprozessoren bis hin zu Photovoltaikzellen. Diese Wafer werden mit hoher Präzision und Reinheit hergestellt und gewährleisten eine optimale Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen.
Semicera-Siliziumwafer werden mit fortschrittlichen Techniken hergestellt und weisen eine außergewöhnliche Ebenheit und Gleichmäßigkeit auf, die für die Erzielung hoher Erträge bei der Halbleiterfertigung von entscheidender Bedeutung sind. Dieses Maß an Präzision trägt dazu bei, Fehler zu minimieren und die Gesamteffizienz elektronischer Komponenten zu verbessern.
Die überlegene Qualität der Semicera-Siliziumwafer zeigt sich in ihren elektrischen Eigenschaften, die zur verbesserten Leistung von Halbleiterbauelementen beitragen. Mit geringen Verunreinigungen und hoher Kristallqualität bieten diese Wafer die ideale Plattform für die Entwicklung leistungsstarker Elektronik.
Semicera-Siliziumwafer sind in verschiedenen Größen und Spezifikationen erhältlich und können an die spezifischen Anforderungen verschiedener Branchen angepasst werden, darunter Computer, Telekommunikation und erneuerbare Energien. Ob für die Herstellung im großen Maßstab oder für die Spezialforschung, diese Wafer liefern zuverlässige Ergebnisse.
Semicera engagiert sich dafür, das Wachstum und die Innovation der Halbleiterindustrie durch die Bereitstellung hochwertiger Siliziumwafer zu unterstützen, die den höchsten Industriestandards entsprechen. Mit einem Fokus auf Präzision und Zuverlässigkeit ermöglicht Semicera Herstellern, die Grenzen der Technologie zu verschieben und sicherzustellen, dass ihre Produkte an der Spitze des Marktes bleiben.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
