Semicera-Siliziumsubstrate werden so gefertigt, dass sie den strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie gerecht werden und beispiellose Qualität und Präzision bieten. Diese Substrate bieten eine zuverlässige Grundlage für verschiedene Anwendungen, von integrierten Schaltkreisen bis hin zu Photovoltaikzellen, und gewährleisten optimale Leistung und Langlebigkeit.
Die hohe Reinheit der Semicera-Siliziumsubstrate sorgt für minimale Defekte und hervorragende elektrische Eigenschaften, die für die Herstellung hocheffizienter elektronischer Komponenten von entscheidender Bedeutung sind. Dieser Reinheitsgrad trägt dazu bei, Energieverluste zu reduzieren und die Gesamteffizienz von Halbleiterbauelementen zu verbessern.
Semicera setzt modernste Fertigungstechniken ein, um Siliziumsubstrate mit außergewöhnlicher Gleichmäßigkeit und Ebenheit herzustellen. Diese Präzision ist entscheidend für die Erzielung konsistenter Ergebnisse bei der Halbleiterfertigung, bei der selbst kleinste Abweichungen die Geräteleistung und -ausbeute beeinträchtigen können.
Semicera-Siliziumsubstrate sind in verschiedenen Größen und Spezifikationen erhältlich und decken ein breites Spektrum industrieller Anforderungen ab. Unabhängig davon, ob Sie hochmoderne Mikroprozessoren oder Solarmodule entwickeln, bieten diese Substrate die Flexibilität und Zuverlässigkeit, die für Ihre spezifische Anwendung erforderlich sind.
Semicera widmet sich der Unterstützung von Innovation und Effizienz in der Halbleiterindustrie. Durch die Bereitstellung hochwertiger Siliziumsubstrate ermöglichen wir Herstellern, die Grenzen der Technologie zu verschieben und Produkte zu liefern, die den sich verändernden Anforderungen des Marktes gerecht werden. Vertrauen Sie Semicera für Ihre Elektronik- und Photovoltaiklösungen der nächsten Generation.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
