Silizium auf Isolatorwafern

Kurzbeschreibung:

Die Silicon-on-Insulator-Wafer von Semicera bieten Hochleistungslösungen für fortschrittliche Halbleiteranwendungen. Diese Wafer sind ideal für MEMS, Sensoren und Mikroelektronik geeignet und bieten eine hervorragende elektrische Isolierung und eine geringe parasitäre Kapazität. Semicera gewährleistet eine präzise Fertigung und liefert gleichbleibende Qualität für eine Reihe innovativer Technologien. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu sein.


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Silizium auf Isolatorwafernvon Semicera sind darauf ausgelegt, der wachsenden Nachfrage nach leistungsstarken Halbleiterlösungen gerecht zu werden. Unsere SOI-Wafer bieten eine hervorragende elektrische Leistung und eine reduzierte parasitäre Gerätekapazität, was sie ideal für fortschrittliche Anwendungen wie MEMS-Geräte, Sensoren und integrierte Schaltkreise macht. Semiceras Fachwissen in der Waferproduktion stellt sicher, dass jederSOI-Waferliefert zuverlässige, qualitativ hochwertige Ergebnisse für Ihre Technologieanforderungen der nächsten Generation.

UnserSilizium auf Isolatorwafernbieten eine optimale Balance zwischen Wirtschaftlichkeit und Leistung. Da die Kosten für Soi-Wafer immer wettbewerbsfähiger werden, werden diese Wafer in einer Reihe von Branchen, einschließlich Mikroelektronik und Optoelektronik, häufig eingesetzt. Der hochpräzise Produktionsprozess von Semicera garantiert eine hervorragende Waferbindung und Gleichmäßigkeit und macht sie für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, von Hohlraum-SOI-Wafern bis hin zu Standard-Siliziumwafern.

Hauptmerkmale:

Hochwertige SOI-Wafer, optimiert für die Leistung in MEMS und anderen Anwendungen.

Wettbewerbsfähige SOI-Wafer-Kosten für Unternehmen, die fortschrittliche Lösungen ohne Qualitätseinbußen suchen.

Ideal für Spitzentechnologien und bietet verbesserte elektrische Isolierung und Effizienz in Silizium-auf-Isolator-Systemen.

UnserSilizium auf Isolatorwafernsind darauf ausgelegt, leistungsstarke Lösungen bereitzustellen und die nächste Innovationswelle in der Halbleitertechnologie zu unterstützen. Ob Sie an Hohlräumen arbeitenSOI-Wafer, MEMS-Geräte oder Silizium-auf-Isolator-Komponenten: Semicera liefert Wafer, die den höchsten Standards der Branche entsprechen.

Artikel

Produktion

Forschung

Dummy

Kristallparameter

Polytypie

4H

Fehler bei der Oberflächenausrichtung

<11-20 >4±0,15°

Elektrische Parameter

Dotierstoff

Stickstoff vom n-Typ

Widerstand

0,015–0,025 Ohm·cm

Mechanische Parameter

Durchmesser

150,0 ± 0,2 mm

Dicke

350 ± 25 μm

Primäre flache Ausrichtung

[1-100]±5°

Primäre flache Länge

47,5 ± 1,5 mm

Zweitwohnung

Keiner

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Bogen

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Kette

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Struktur

Mikrorohrdichte

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Metallverunreinigungen

≤5E10Atome/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Vordere Qualität

Front

Si

Oberflächenbeschaffenheit

Si-Face-CMP

Partikel

≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm)

NA

Kratzer

≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser

Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser

NA

Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung

Keiner

NA

Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten

Keiner

Polytypiebereiche

Keiner

Kumulierte Fläche ≤ 20 %

Kumulierte Fläche ≤ 30 %

Lasermarkierung vorne

Keiner

Zurück Qualität

Hinterer Abschluss

C-Gesichts-CMP

Kratzer

≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser

NA

Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen)

Keiner

Rückenrauheit

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Lasermarkierung auf der Rückseite

1 mm (ab Oberkante)

Rand

Rand

Fase

Verpackung

Verpackung

Epi-ready mit Vakuumverpackung

Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten

*Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD.

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SiC-Wafer

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