Silizium auf Isolatorwafernvon Semicera sind darauf ausgelegt, der wachsenden Nachfrage nach leistungsstarken Halbleiterlösungen gerecht zu werden. Unsere SOI-Wafer bieten eine hervorragende elektrische Leistung und eine reduzierte parasitäre Gerätekapazität, was sie ideal für fortschrittliche Anwendungen wie MEMS-Geräte, Sensoren und integrierte Schaltkreise macht. Semiceras Fachwissen in der Waferproduktion stellt sicher, dass jederSOI-Waferliefert zuverlässige, qualitativ hochwertige Ergebnisse für Ihre Technologieanforderungen der nächsten Generation.
UnserSilizium auf Isolatorwafernbieten eine optimale Balance zwischen Wirtschaftlichkeit und Leistung. Da die Kosten für Soi-Wafer immer wettbewerbsfähiger werden, werden diese Wafer in einer Reihe von Branchen, einschließlich Mikroelektronik und Optoelektronik, häufig eingesetzt. Der hochpräzise Produktionsprozess von Semicera garantiert eine hervorragende Waferbindung und Gleichmäßigkeit und macht sie für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, von Hohlraum-SOI-Wafern bis hin zu Standard-Siliziumwafern.
Hauptmerkmale:
•Hochwertige SOI-Wafer, optimiert für die Leistung in MEMS und anderen Anwendungen.
•Wettbewerbsfähige SOI-Wafer-Kosten für Unternehmen, die fortschrittliche Lösungen ohne Qualitätseinbußen suchen.
•Ideal für Spitzentechnologien und bietet verbesserte elektrische Isolierung und Effizienz in Silizium-auf-Isolator-Systemen.
UnserSilizium auf Isolatorwafernsind darauf ausgelegt, leistungsstarke Lösungen bereitzustellen und die nächste Innovationswelle in der Halbleitertechnologie zu unterstützen. Ob Sie an Hohlräumen arbeitenSOI-Wafer, MEMS-Geräte oder Silizium-auf-Isolator-Komponenten: Semicera liefert Wafer, die den höchsten Standards der Branche entsprechen.
Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
Kristallparameter | |||
Polytypie | 4H | ||
Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische Parameter | |||
Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
Mechanische Parameter | |||
Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dicke | 350 ± 25 μm | ||
Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Zweitwohnung | Keiner | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Struktur | |||
Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Vordere Qualität | |||
Front | Si | ||
Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
Zurück Qualität | |||
Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
Rand | |||
Rand | Fase | ||
Verpackung | |||
Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
*Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. |