Das Siliziumnitrid-Keramiksubstrat von Semicera stellt den Gipfel der fortschrittlichen Materialtechnologie dar und bietet außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und robuste mechanische Eigenschaften. Dieses Substrat wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und eignet sich hervorragend für Umgebungen, die ein zuverlässiges Wärmemanagement und strukturelle Integrität erfordern.
Unsere Siliziumnitrid-Keramiksubstrate sind so konzipiert, dass sie extremen Temperaturen und rauen Bedingungen standhalten und sich daher ideal für elektronische Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte eignen. Ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit sorgt für eine effiziente Wärmeableitung, die für die Aufrechterhaltung der Leistung und Langlebigkeit elektronischer Komponenten von entscheidender Bedeutung ist.
Das Engagement von Semicera für Qualität zeigt sich in jedem von uns hergestellten Siliziumnitrid-Keramiksubstrat. Jedes Substrat wird mit modernsten Verfahren hergestellt, um eine gleichbleibende Leistung und minimale Mängel zu gewährleisten. Dieses hohe Maß an Präzision erfüllt die strengen Anforderungen von Branchen wie der Automobilindustrie, der Luft- und Raumfahrtindustrie sowie der Telekommunikation.
Zusätzlich zu ihren thermischen und mechanischen Vorteilen bieten unsere Substrate hervorragende elektrische Isolationseigenschaften, die zur Gesamtzuverlässigkeit Ihrer elektronischen Geräte beitragen. Durch die Reduzierung elektrischer Störungen und die Verbesserung der Komponentenstabilität spielen die Siliziumnitrid-Keramiksubstrate von Semicera eine entscheidende Rolle bei der Optimierung der Geräteleistung.
Wenn Sie sich für das Siliziumnitrid-Keramiksubstrat von Semicera entscheiden, investieren Sie in ein Produkt, das sowohl hohe Leistung als auch Haltbarkeit bietet. Unsere Substrate sind auf die Anforderungen moderner elektronischer Anwendungen ausgelegt und stellen sicher, dass Ihre Geräte von modernster Materialtechnologie und außergewöhnlicher Zuverlässigkeit profitieren.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
