Produktübersicht
DerMit Silizium imprägnierter Paddel- und Waferträger aus Siliziumkarbid (SiC).wurde entwickelt, um den anspruchsvollen Anforderungen thermischer Halbleiterverarbeitungsanwendungen gerecht zu werden. Dieses aus hochreinem SiC gefertigte und durch Siliziumimprägnierung verbesserte Produkt bietet eine einzigartige Kombination aus Hochtemperaturleistung, hervorragender Wärmeleitfähigkeit, Korrosionsbeständigkeit und hervorragender mechanischer Festigkeit.
Durch die Integration fortschrittlicher Materialwissenschaft mit Präzisionsfertigung gewährleistet diese Lösung herausragende Leistung, Zuverlässigkeit und Haltbarkeit für Halbleiterhersteller.
Hauptmerkmale
1.Außergewöhnliche Hochtemperaturbeständigkeit
Mit einem Schmelzpunkt von über 2700 °C sind SiC-Materialien selbst bei extremer Hitze stabil. Durch die Imprägnierung mit Silizium wird ihre thermische Stabilität weiter verbessert, sodass sie längerer Einwirkung hoher Temperaturen standhalten können, ohne dass die Struktur geschwächt wird oder die Leistung beeinträchtigt wird.
2.Überlegene Wärmeleitfähigkeit
Die außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit von mit Silizium imprägniertem SiC gewährleistet eine gleichmäßige Wärmeverteilung und reduziert die thermische Belastung während kritischer Verarbeitungsphasen. Diese Eigenschaft verlängert die Lebensdauer der Ausrüstung und minimiert Produktionsausfallzeiten, was sie ideal für die thermische Hochtemperaturverarbeitung macht.
3.Oxidations- und Korrosionsbeständigkeit
Auf der Oberfläche bildet sich auf natürliche Weise eine robuste Siliziumoxidschicht, die eine hervorragende Beständigkeit gegen Oxidation und Korrosion bietet. Dies gewährleistet eine langfristige Zuverlässigkeit in rauen Betriebsumgebungen und schützt sowohl das Material als auch die umliegenden Komponenten.
4.Hohe mechanische Festigkeit und Verschleißfestigkeit
Mit Silizium imprägniertes SiC zeichnet sich durch eine hervorragende Druckfestigkeit und Verschleißfestigkeit aus und behält seine strukturelle Integrität unter Hochlast- und Hochtemperaturbedingungen bei. Dadurch wird das Risiko verschleißbedingter Schäden verringert und eine gleichbleibende Leistung über längere Nutzungszyklen gewährleistet.
Spezifikationen
| Produktname | SC-RSiC-Si |
| Material | Siliziumimprägnierung Siliziumkarbid-Kompakt (hochrein) |
| Anwendungen | Teile für die Wärmebehandlung von Halbleitern, Teile für Halbleiterfertigungsanlagen |
| Lieferform | Formkörper (Sinterkörper) |
| Zusammensetzung | Mechanisches Eigentum | Elastizitätsmodul (GPa) | Biegefestigkeit (MPa) | ||
| Zusammensetzung (Vol.-%) | α-SiC | α-SiC | RT | 370 | 250 |
| 82 | 18 | 800°C | 360 | 220 | |
| Schüttdichte (kg/m³) | 3,02 x 103 | 1200°C | 340 | 220 | |
| Hitzebeständige Temperatur °C | 1350 | Poissonzahl | 0,18 (RT) | ||
| Thermisches Eigentum | Wärmeleitfähigkeit (W/(m·K)) | Spezifische Wärmekapazität (kJ/(kg·K)) | Wärmeausdehnungskoeffizient (1/K) | ||
| RT | 220 | 0,7 | RT~700°C | 3,4 x 10-6 | |
| 700°C | 60 | 1.23 | 700~1200°C | 4,3 x 10-6 | |
| Verunreinigungsgehalt ((ppm) | |||||||||||||
| Element | Fe | Ni | Na | K | Mg | Ca | Cr | Mn | Zn | Cu | Ti | Va | Ai |
| Inhaltsrate | 3 | <2 | <0,5 | <0,1 | <1 | 5 | 0,3 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,3 | <0,3 | 25 |
Anwendungen
▪Thermische Halbleiterverarbeitung:Ideal für Prozesse wie chemische Gasphasenabscheidung (CVD), epitaktisches Wachstum und Glühen, bei denen eine präzise Temperaturkontrolle und Materialbeständigkeit von entscheidender Bedeutung sind.
▪Waferträger und Paddel:Entwickelt, um Wafer während Hochtemperatur-Wärmebehandlungen sicher zu halten und zu transportieren.
▪Extreme Betriebsumgebungen: Geeignet für Umgebungen, die Beständigkeit gegen Hitze, chemische Einwirkung und mechanische Beanspruchung erfordern.
Vorteile von siliziumimprägniertem SiC
Die Kombination aus hochreinem Siliziumkarbid und fortschrittlicher Siliziumimprägnierungstechnologie bietet beispiellose Leistungsvorteile:
▪Präzision:Verbessert die Genauigkeit und Kontrolle der Halbleiterverarbeitung.
▪Stabilität:Hält rauen Umgebungen stand, ohne die Funktionalität zu beeinträchtigen.
▪Langlebigkeit:Verlängert die Lebensdauer von Halbleiterfertigungsanlagen.
▪Effizienz:Verbessert die Produktivität durch Gewährleistung zuverlässiger und konsistenter Ergebnisse.
Warum sollten Sie sich für unsere mit Silizium imprägnierten SiC-Lösungen entscheiden?
At SemiceraWir sind auf die Bereitstellung leistungsstarker Lösungen spezialisiert, die auf die Bedürfnisse von Halbleiterherstellern zugeschnitten sind. Unsere mit Silizium imprägnierten Siliziumkarbid-Paddel und Wafer-Träger werden strengen Tests und Qualitätssicherungen unterzogen, um den Industriestandards zu entsprechen. Wenn Sie sich für Semicera entscheiden, erhalten Sie Zugang zu modernsten Materialien, die Ihre Herstellungsprozesse optimieren und Ihre Produktionskapazitäten verbessern.
Technische Spezifikationen
▪Materialzusammensetzung:Hochreines Siliziumkarbid mit Siliziumimprägnierung.
▪Betriebstemperaturbereich:Bis zu 2700°C.
▪ Wärmeleitfähigkeit:Außergewöhnlich hoch für eine gleichmäßige Wärmeverteilung.
▪Widerstandseigenschaften:Oxidations-, korrosions- und verschleißfest.
▪Anwendungen:Kompatibel mit verschiedenen Halbleiter-Wärmeverarbeitungssystemen.
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