Der Siliziumfilm von Semicera ist ein hochwertiges, präzisionsgefertigtes Material, das den strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie gerecht wird. Diese aus reinem Silizium hergestellte Dünnschichtlösung bietet hervorragende Gleichmäßigkeit, hohe Reinheit und außergewöhnliche elektrische und thermische Eigenschaften. Es ist ideal für den Einsatz in verschiedenen Halbleiteranwendungen, einschließlich der Herstellung von Si-Wafern, SiC-Substraten, SOI-Wafern, SiN-Substraten und Epi-Wafern. Der Siliziumfilm von Semicera gewährleistet eine zuverlässige und konstante Leistung und ist damit ein unverzichtbares Material für die fortschrittliche Mikroelektronik.
Überlegene Qualität und Leistung für die Halbleiterfertigung
Der Siliziumfilm von Semicera ist für seine herausragende mechanische Festigkeit, hohe thermische Stabilität und niedrige Fehlerraten bekannt, die alle für die Herstellung von Hochleistungshalbleitern von entscheidender Bedeutung sind. Ob bei der Herstellung von Galliumoxid (Ga2O3)-Geräten, AlN-Wafern oder Epi-Wafern verwendet, der Film bietet eine solide Grundlage für die Dünnschichtabscheidung und das epitaktische Wachstum. Seine Kompatibilität mit anderen Halbleitersubstraten wie SiC-Substraten und SOI-Wafern gewährleistet eine nahtlose Integration in bestehende Herstellungsprozesse und trägt dazu bei, hohe Erträge und eine gleichbleibende Produktqualität aufrechtzuerhalten.
Anwendungen in der Halbleiterindustrie
In der Halbleiterindustrie wird der Siliziumfilm von Semicera in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, von der Herstellung von Si-Wafern und SOI-Wafern bis hin zu spezielleren Anwendungen wie der Herstellung von SiN-Substraten und Epi-Wafern. Die hohe Reinheit und Präzision dieses Films machen ihn unverzichtbar bei der Herstellung fortschrittlicher Komponenten, die in allen Bereichen von Mikroprozessoren und integrierten Schaltkreisen bis hin zu optoelektronischen Geräten zum Einsatz kommen.
Der Siliziumfilm spielt eine entscheidende Rolle bei Halbleiterprozessen wie epitaktischem Wachstum, Wafer-Bonding und Dünnschichtabscheidung. Seine zuverlässigen Eigenschaften sind besonders wertvoll für Branchen, die streng kontrollierte Umgebungen benötigen, wie zum Beispiel Reinräume in Halbleiterfabriken. Darüber hinaus kann der Siliziumfilm in Kassettensysteme integriert werden, um eine effiziente Waferhandhabung und einen effizienten Transport während der Produktion zu ermöglichen.
Langfristige Zuverlässigkeit und Konsistenz
Einer der Hauptvorteile der Verwendung des Siliziumfilms von Semicera ist seine langfristige Zuverlässigkeit. Mit seiner hervorragenden Haltbarkeit und gleichbleibenden Qualität bietet diese Folie eine zuverlässige Lösung für Produktionsumgebungen mit hohem Volumen. Ganz gleich, ob es in hochpräzisen Halbleiterbauelementen oder fortschrittlichen elektronischen Anwendungen zum Einsatz kommt, der Siliziumfilm von Semicera stellt sicher, dass Hersteller bei einer Vielzahl von Produkten hohe Leistung und Zuverlässigkeit erreichen können.
Warum sollten Sie sich für die Silikonfolie von Semicera entscheiden?
Der Siliziumfilm von Semicera ist ein unverzichtbares Material für hochmoderne Anwendungen in der Halbleiterindustrie. Seine leistungsstarken Eigenschaften, einschließlich ausgezeichneter thermischer Stabilität, hoher Reinheit und mechanischer Festigkeit, machen es zur idealen Wahl für Hersteller, die höchste Standards in der Halbleiterproduktion erreichen möchten. Vom Si-Wafer und SiC-Substrat bis hin zur Herstellung von Galliumoxid-Ga2O3-Geräten liefert dieser Film unübertroffene Qualität und Leistung.
Mit dem Siliziumfilm von Semicera können Sie auf ein Produkt vertrauen, das die Anforderungen der modernen Halbleiterfertigung erfüllt und eine zuverlässige Grundlage für die nächste Generation der Elektronik bietet.
Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
Kristallparameter | |||
Polytypie | 4H | ||
Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektrische Parameter | |||
Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
Mechanische Parameter | |||
Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Dicke | 350 ± 25 μm | ||
Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Zweitwohnung | Keiner | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Struktur | |||
Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Vordere Qualität | |||
Front | Si | ||
Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
Zurück Qualität | |||
Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
Rand | |||
Rand | Fase | ||
Verpackung | |||
Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
*Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. |