Siliziumkarbid-Substrate|SiC-Wafer

Kurzbeschreibung:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. ist ein führender Anbieter, der sich auf Wafer- und fortschrittliche Halbleiter-Verbrauchsmaterialien spezialisiert hat. Wir widmen uns der Bereitstellung qualitativ hochwertiger, zuverlässiger und innovativer Produkte für die Halbleiterfertigung, die Photovoltaikindustrie und andere verwandte Bereiche.

Unsere Produktlinie umfasst SiC/TaC-beschichtete Graphitprodukte und Keramikprodukte, die verschiedene Materialien wie Siliziumkarbid, Siliziumnitrid und Aluminiumoxid usw. umfassen.

Derzeit sind wir der einzige Hersteller, der eine SiC-Beschichtung mit einer Reinheit von 99,9999 % und 99,9 % rekristallisiertes Siliziumkarbid anbietet. Die maximale Länge der SiC-Beschichtung beträgt 2640 mm.

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Produktdetails

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Einkristallmaterial aus Siliziumkarbid (SiC) hat eine große Bandlückenbreite (~Si 3-fach), eine hohe Wärmeleitfähigkeit (~Si 3,3-fach oder GaAs 10-fach), eine hohe Elektronensättigungsmigrationsrate (~Si 2,5-fach) und eine hohe Durchschlagselektrizität Feld (~Si 10-mal oder GaAs 5-mal) und andere herausragende Eigenschaften.

SiC-Geräte haben unersetzliche Vorteile im Bereich von Hochtemperatur-, Hochdruck-, Hochfrequenz- und Hochleistungselektronikgeräten sowie in extremen Umweltanwendungen wie Luft- und Raumfahrt, Militär, Kernenergie usw. und gleichen die Mängel herkömmlicher Halbleitermaterialgeräte in der Praxis aus Anwendungen und werden nach und nach zum Mainstream der Leistungshalbleiter.

Spezifikationen für 4H-SiC-Siliziumkarbid-Substrat

Artikelname	Technische Daten
Polytypie 晶型	4H-SiC	6H-SiC
Durchmesser 晶圆直径	2 Zoll \| 3 Zoll \| 4 Zoll \| 6 Zoll	2 Zoll \| 3 Zoll \| 4 Zoll \| 6 Zoll
Dicke 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
Leitfähigkeit 导电类型	N – Typ / Halbisolierend N型导电片/ 半绝缘fotos	N – Typ / Halbisolierend N型导电片/ 半绝缘fotos
Dotierstoff 掺杂剂	N2 (Stickstoff)V (Vanadium)	N2 (Stickstoff) V (Vanadium)
Orientierung 晶向	Auf Achse <0001> Außerhalb der Achse <0001> aus 4°	Auf Achse <0001> Außerhalb der Achse <0001> aus 4°
Widerstand 电阻率	0,015 ~ 0,03 Ohm-cm (4H-N)	0,02 ~ 0,1 Ohm-cm (6H-N)
Mikrorohrdichte (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Bogen / Kette 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Oberfläche 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Grad 产品等级	Produktions-/Forschungsqualität	Produktions-/Forschungsqualität
Kristallstapelsequenz 堆积方式	ABCB	ABCABC
Gitterparameter 晶格参数	a=3,076A, c=10,053A	a=3,073A, c=15,117A
Eg/eV (Bandlücke) 禁带宽度	3,27 eV	3,02 eV
ε (Dielektrizitätskonstante) 介电常数	9.6	9.66
Brechungsindex 折射率	n0 =2,719 ne =2,777	n0 =2,707 , ne =2,755

Spezifikationen für 6H-SiC-Siliziumkarbid-Substrat

Artikelname	Technische Daten
Polytypie 晶型	6H-SiC
Durchmesser 晶圆直径	4 Zoll \| 6 Zoll
Dicke 厚度	350μm ~ 450μm
Leitfähigkeit 导电类型	N – Typ / Halbisolierend N型导电片/ 半绝缘fotos
Dotierstoff 掺杂剂	N2 (Stickstoff) V (Vanadium)
Orientierung 晶向	<0001> aus 4°± 0,5°
Widerstand 电阻率	0,02 ~ 0,1 Ohm-cm (6H-N-Typ)
Mikrorohrdichte (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
Bogen / Kette 翘曲度	≤25 μm
Oberfläche 表面处理	Si-Gesicht: CMP, Epi-Ready C-Gesicht: Optische Politur
Grad 产品等级	Forschungsnote