Beschreibung
Die Semicorex-Waferträger mit SiC-Beschichtung bieten außergewöhnliche thermische Stabilität und Leitfähigkeit und sorgen für eine gleichmäßige Wärmeverteilung während CVD-Prozessen, was für hochwertige Dünnfilm- und Beschichtungseigenschaften entscheidend ist.
Hauptmerkmale:
1. Hervorragende thermische Stabilität und LeitfähigkeitUnsere SiC-beschichteten Waferträger zeichnen sich durch die Aufrechterhaltung stabiler und konstanter Temperaturen aus, die für CVD-Prozesse von entscheidender Bedeutung sind. Dadurch wird eine gleichmäßige Wärmeverteilung gewährleistet, was zu einer hervorragenden Dünnfilm- und Beschichtungsqualität führt.
2. PräzisionsfertigungJeder Waferträger wird nach strengen Standards hergestellt, um eine gleichmäßige Dicke und Oberflächenglätte zu gewährleisten. Diese Präzision ist entscheidend für die Erzielung gleichbleibender Abscheidungsraten und Filmeigenschaften über mehrere Wafer hinweg und verbessert so die Gesamtqualität der Fertigung.
3. VerunreinigungsbarriereDie SiC-Beschichtung fungiert als undurchlässige Barriere und verhindert die Diffusion von Verunreinigungen vom Suszeptor in den Wafer. Dies minimiert das Kontaminationsrisiko, was für die Herstellung hochreiner Halbleiterbauelemente von entscheidender Bedeutung ist.
4. Haltbarkeit und KosteneffizienzDie robuste Konstruktion und die SiC-Beschichtung erhöhen die Haltbarkeit der Waferträger und reduzieren die Häufigkeit des Suszeptoraustauschs. Dies führt zu geringeren Wartungskosten und minimierten Ausfallzeiten, wodurch die Effizienz der Halbleiterfertigungsabläufe erhöht wird.
5. AnpassungsoptionenSemicorex-Waferträger mit SiC-Beschichtung können an spezifische Prozessanforderungen angepasst werden, einschließlich Variationen in Größe, Form und Beschichtungsdicke. Diese Flexibilität ermöglicht die Optimierung des Suszeptors, um den besonderen Anforderungen verschiedener Halbleiterfertigungsprozesse gerecht zu werden. Anpassungsoptionen ermöglichen die Entwicklung von Suszeptordesigns, die auf spezielle Anwendungen zugeschnitten sind, wie z. B. die Massenfertigung oder Forschung und Entwicklung, und so eine optimale Leistung für bestimmte Anwendungsfälle gewährleisten.
Anwendungen:
Semicera Wafer Carrier mit SiC-Beschichtung sind ideal geeignet für:
• Epitaktisches Wachstum von Halbleitermaterialien
• Prozesse der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD).
• Produktion hochwertiger Halbleiterwafer
• Fortschrittliche Anwendungen in der Halbleiterfertigung
Technische Spezifikationen:
