Beschreibung
Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern. Bildung einer SIC-Schutzschicht.
Hauptmerkmale
1. Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
2. Überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
3. Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
4. Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
| SiC-CVD-Eigenschaften | ||
| Kristallstruktur | FCC-β-Phase | |
| Dichte | g/cm³ | 3.21 |
| Härte | Vickershärte | 2500 |
| Körnung | μm | 2~10 |
| Chemische Reinheit | % | 99,99995 |
| Wärmekapazität | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimationstemperatur | ℃ | 2700 |
| Biegekraft | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
| Elastizitätsmodul | Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃) | 430 |
| Wärmeausdehnung (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Wärmeleitfähigkeit | (W/mK) | 300 |
