Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung

Kurzbeschreibung:

Als professioneller chinesischer Hersteller, Lieferant und Exporteur von Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungen. Die Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung von Semicera wird häufig in Schlüsselkomponenten von Halbleiterfertigungsanlagen eingesetzt, insbesondere in Verarbeitungsprozessen wie CVD und PECV. Semicera engagiert sich für die Bereitstellung fortschrittlicher Technologie- und Produktlösungen für die Halbleiterindustrie und freut sich über Ihre weitere Beratung.


Produktdetails

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SemiceraSiliziumkarbid-Keramikbeschichtungist eine Hochleistungsschutzschicht aus extrem hartem und verschleißfestem Siliziumkarbid (SiC)-Material. Die Beschichtung wird üblicherweise durch CVD- oder PVD-Verfahren auf der Oberfläche des Substrats abgeschiedenSiliziumkarbidpartikel, bietet hervorragende chemische Korrosionsbeständigkeit und hohe Temperaturstabilität. Daher wird die Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung häufig in Schlüsselkomponenten von Halbleiterfertigungsanlagen verwendet.

In der HalbleiterfertigungSiC-Beschichtungkann extrem hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C standhalten, daher wird die Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung oft als Schutzschicht für Geräte oder Werkzeuge verwendet, um Schäden bei hohen Temperaturen oder korrosiven Umgebungen zu verhindern.

Gleichzeitig,Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungkann der Erosion durch Säuren, Laugen, Oxide und andere chemische Reagenzien widerstehen und weist eine hohe Korrosionsbeständigkeit gegenüber einer Vielzahl chemischer Substanzen auf. Daher ist dieses Produkt für verschiedene korrosive Umgebungen in der Halbleiterindustrie geeignet.

Darüber hinaus weist SiC im Vergleich zu anderen Keramikmaterialien eine höhere Wärmeleitfähigkeit auf und kann Wärme effektiv leiten. Diese Eigenschaft bestimmt, dass in Halbleiterprozessen, die eine präzise Temperaturkontrolle erfordern, die hohe Wärmeleitfähigkeit vonSiliziumkarbid-Keramikbeschichtungträgt dazu bei, die Wärme gleichmäßig zu verteilen, lokale Überhitzungen zu verhindern und sicherzustellen, dass das Gerät bei optimaler Temperatur arbeitet.

 Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-Beschichtung 

Eigentum

Typischer Wert

Kristallstruktur

Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert

Dichte

3,21 g/cm³

Härte

2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)

Körnung

2~10μm

Chemische Reinheit

99,99995 %

Wärmekapazität

640 J·kg-1·K-1

Sublimationstemperatur

2700℃

Biegefestigkeit

415 MPa RT 4-Punkt

Elastizitätsmodul

430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃

Wärmeleitfähigkeit

300W·m-1·K-1

Wärmeausdehnung (CTE)

4,5×10-6K-1

Semicera Arbeitsplatz
Semicera Arbeitsplatz 2
Ausrüstungsmaschine
CNN-Verarbeitung, chemische Reinigung, CVD-Beschichtung
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