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Tantalcarbid TaC CVD-Beschichtung kundenspezifischer Teile
Mit Tantalkarbid beschichteter Ring
Hochpräziser SiC-Keramikeffektor
Cantilever-Paddel aus Siliziumkarbid
SiC-beschichteter Graphitträger mit langer Lebensdauer für ...
Siliziumkarbidbeschichtetes Graphitwerkzeug, für Epitaxie-C...
Antioxidatives, hochreines SiC-beschichtetes MOCVD-Tablett
SiC-Beschichtungsfassstruktur für Fasssuszeptor
Halbleiterteile der zweiten Hälfte für die Epitaxie

SiC-Substrat

6-Zoll-n-Typ-Sic-Substrat
2~6 Zoll 4° Off-Winkel P-Typ 4H-SiC-Substrat
4″ 6″ 8″ Leitfähige und halbisolierende Substrate
4″ 6″ halbisolierendes SiC-Substrat
8 Zoll n-leitendes SiC-Substrat
4″ 6″ Hochreiner halbisolierender SiC-Barren
4″6″ 8″ SiC-Barren vom N-Typ
6-Zoll-N-Typ-SiC-Wafer
SiC-Substratwafer vom P-Typ
8-Zoll-N-Typ-SiC-Wafer
4-Zoll-N-Typ-SiC-Substrat
6 Zoll halbisolierender HPSI-SiC-Wafer

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