Graphitwafer-Suszeptor mit SiC-Beschichtung

SiC-beschichteter Graphit-Wafer-Suszeptor. Ausgewähltes Bild

Kurzbeschreibung:

Der SiC-beschichtete Graphit-Wafer-Suszeptor von Semicera Semiconductor bietet hervorragende thermische Leistung und Haltbarkeit für die Wafer-Verarbeitung. Verlassen Sie sich auf Semicera, wenn es um fortschrittliche SiC-beschichtete Suszeptoren geht, die zur Verbesserung der Effizienz und Zuverlässigkeit in Halbleiteranwendungen entwickelt wurden.

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Produktdetails

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Beschreibung

Die SiC-Wafer-Suszeptoren von Semicorex für MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) sind so konzipiert, dass sie den hohen Anforderungen epitaktischer Abscheidungsprozesse gerecht werden. Durch die Verwendung von hochwertigem Siliziumkarbid (SiC) bieten diese Suszeptoren eine beispiellose Haltbarkeit und Leistung in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen und gewährleisten das präzise und effiziente Wachstum von Halbleitermaterialien.

Hauptmerkmale:

1. Überlegene MaterialeigenschaftenUnsere aus hochwertigem SiC gefertigten Wafer-Suszeptoren weisen eine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und chemische Beständigkeit auf. Diese Eigenschaften ermöglichen es ihnen, den extremen Bedingungen von MOCVD-Prozessen, einschließlich hoher Temperaturen und korrosiven Gasen, standzuhalten und so Langlebigkeit und zuverlässige Leistung zu gewährleisten.

2. Präzision bei der epitaktischen AbscheidungDie präzise Konstruktion unserer SiC-Wafer-Suszeptoren gewährleistet eine gleichmäßige Temperaturverteilung über die Waferoberfläche und erleichtert so ein gleichmäßiges und qualitativ hochwertiges Epitaxieschichtwachstum. Diese Präzision ist entscheidend für die Herstellung von Halbleitern mit optimalen elektrischen Eigenschaften.

3. Verbesserte HaltbarkeitDas robuste SiC-Material bietet eine hervorragende Beständigkeit gegen Verschleiß und Zersetzung, selbst wenn es ständig rauen Prozessumgebungen ausgesetzt ist. Diese Haltbarkeit reduziert die Häufigkeit des Suszeptoraustauschs und minimiert Ausfallzeiten und Betriebskosten.