SiC-beschichteter Prozess für SiC-beschichtete Graphitträger auf Graphitbasis

Bei der Anwendung halten wir sehr enge Toleranzen einSiC-Beschichtung, wobei hochpräzise Bearbeitung verwendet wird, um ein einheitliches Suszeptorprofil zu gewährleisten. Wir produzieren auch Materialien mit idealen elektrischen Widerstandseigenschaften für den Einsatz in induktiv beheizten Systemen. Alle fertigen Komponenten werden mit einem Reinheits- und Maßkonformitätszertifikat geliefert.

Unser Unternehmen bietetSiC-BeschichtungProzessdienstleistungen mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien, so dass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, Moleküle, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern und eine SIC-Schutzschicht bilden. Das gebildete SIC ist fest mit der Graphitbasis verbunden, was der Graphitbasis besondere Eigenschaften verleiht und so die Oberfläche des Graphits kompakt, porösitätsfrei, hochtemperaturbeständig, korrosionsbeständig und oxidationsbeständig macht.

Der CVD-Prozess liefert eine extrem hohe Reinheit und theoretische DichteSiC-Beschichtungohne Porosität. Da Siliziumkarbid außerdem sehr hart ist, kann es zu einer spiegelähnlichen Oberfläche poliert werden.CVD-Beschichtung aus Siliziumkarbid (SiC).bietet mehrere Vorteile, darunter eine ultrahochreine Oberfläche und eine extreme Verschleißfestigkeit. Da die beschichteten Produkte unter Hochvakuum- und Hochtemperaturbedingungen eine hervorragende Leistung erbringen, eignen sie sich ideal für Anwendungen in der Halbleiterindustrie und anderen hochreinen Umgebungen. Wir bieten auch Produkte aus pyrolytischem Graphit (PG) an.