Si-Substrat

Kurzbeschreibung:

Mit seiner überragenden Präzision und hohen Reinheit gewährleistet das Si-Substrat von Semicera eine zuverlässige und konstante Leistung in kritischen Anwendungen, einschließlich der Herstellung von Epi-Wafern und Galliumoxid (Ga2O3). Dieses Substrat wurde zur Unterstützung der Produktion fortschrittlicher Mikroelektronik entwickelt und bietet außergewöhnliche Kompatibilität und Stabilität, was es zu einem unverzichtbaren Material für Spitzentechnologien in den Bereichen Telekommunikation, Automobil und Industrie macht.


Produktdetails

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Das Si-Substrat von Semicera ist ein wesentlicher Bestandteil bei der Herstellung von Hochleistungs-Halbleiterbauelementen. Dieses aus hochreinem Silizium (Si) gefertigte Substrat bietet außergewöhnliche Gleichmäßigkeit, Stabilität und hervorragende Leitfähigkeit und ist somit ideal für eine Vielzahl fortschrittlicher Anwendungen in der Halbleiterindustrie. Ob bei der Herstellung von Si-Wafern, SiC-Substraten, SOI-Wafern oder SiN-Substraten – das Semicera Si-Substrat liefert gleichbleibende Qualität und überragende Leistung, um den wachsenden Anforderungen der modernen Elektronik und Materialwissenschaft gerecht zu werden.

Unübertroffene Leistung mit hoher Reinheit und Präzision

Das Si-Substrat von Semicera wird mit fortschrittlichen Verfahren hergestellt, die eine hohe Reinheit und eine strenge Dimensionskontrolle gewährleisten. Das Substrat dient als Grundlage für die Herstellung einer Vielzahl von Hochleistungsmaterialien, darunter Epi-Wafer und AlN-Wafer. Die Präzision und Gleichmäßigkeit des Si-Substrats machen es zu einer hervorragenden Wahl für die Herstellung von Dünnfilm-Epitaxieschichten und anderen wichtigen Komponenten, die bei der Produktion von Halbleitern der nächsten Generation verwendet werden. Unabhängig davon, ob Sie mit Galliumoxid (Ga2O3) oder anderen fortschrittlichen Materialien arbeiten, gewährleistet das Si-Substrat von Semicera ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit und Leistung.

Anwendungen in der Halbleiterfertigung

In der Halbleiterindustrie wird das Si-Substrat von Semicera in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, einschließlich der Herstellung von Si-Wafern und SiC-Substraten, wo es eine stabile, zuverlässige Basis für die Abscheidung aktiver Schichten bietet. Das Substrat spielt eine entscheidende Rolle bei der Herstellung von SOI-Wafern (Silicon On Insulator), die für fortschrittliche Mikroelektronik und integrierte Schaltkreise unerlässlich sind. Darüber hinaus sind auf Si-Substraten aufgebaute Epi-Wafer (Epitaxie-Wafer) ein wesentlicher Bestandteil bei der Herstellung von Hochleistungshalbleiterbauelementen wie Leistungstransistoren, Dioden und integrierten Schaltkreisen.

Das Si-Substrat unterstützt auch die Herstellung von Geräten mit Galliumoxid (Ga2O3), einem vielversprechenden Material mit großer Bandlücke, das für Hochleistungsanwendungen in der Leistungselektronik verwendet wird. Darüber hinaus stellt die Kompatibilität des Si-Substrats von Semicera mit AlN-Wafern und anderen fortschrittlichen Substraten sicher, dass es den vielfältigen Anforderungen der High-Tech-Industrien gerecht wird, was es zu einer idealen Lösung für die Produktion modernster Geräte in den Bereichen Telekommunikation, Automobil und Industrie macht .

Zuverlässige und gleichbleibende Qualität für High-Tech-Anwendungen

Das Si-Substrat von Semicera wurde sorgfältig entwickelt, um den strengen Anforderungen der Halbleiterfertigung gerecht zu werden. Seine außergewöhnliche strukturelle Integrität und hochwertige Oberflächeneigenschaften machen es zum idealen Material für den Einsatz in Kassettensystemen für den Wafertransport sowie für die Herstellung hochpräziser Schichten in Halbleiterbauelementen. Die Fähigkeit des Substrats, unter unterschiedlichen Prozessbedingungen eine gleichbleibende Qualität aufrechtzuerhalten, sorgt für minimale Fehler und erhöht die Ausbeute und Leistung des Endprodukts.

Mit seiner überlegenen Wärmeleitfähigkeit, mechanischen Festigkeit und hohen Reinheit ist das Si-Substrat von Semicera das Material der Wahl für Hersteller, die bei der Halbleiterproduktion höchste Standards an Präzision, Zuverlässigkeit und Leistung erreichen möchten.

Wählen Sie das Si-Substrat von Semicera für hochreine, leistungsstarke Lösungen

Für Hersteller in der Halbleiterindustrie bietet das Si-Substrat von Semicera eine robuste, hochwertige Lösung für ein breites Anwendungsspektrum, von der Si-Wafer-Produktion bis zur Herstellung von Epi-Wafern und SOI-Wafern. Mit unübertroffener Reinheit, Präzision und Zuverlässigkeit ermöglicht dieses Substrat die Herstellung modernster Halbleiterbauelemente und gewährleistet langfristige Leistung und optimale Effizienz. Wählen Sie Semicera für Ihre Si-Substratanforderungen und vertrauen Sie auf ein Produkt, das den Anforderungen der Technologien von morgen gerecht wird.

Artikel

Produktion

Forschung

Dummy

Kristallparameter

Polytypie

4H

Fehler bei der Oberflächenausrichtung

<11-20 >4±0,15°

Elektrische Parameter

Dotierstoff

Stickstoff vom n-Typ

Widerstand

0,015–0,025 Ohm·cm

Mechanische Parameter

Durchmesser

150,0 ± 0,2 mm

Dicke

350 ± 25 μm

Primäre flache Ausrichtung

[1-100]±5°

Primäre flache Länge

47,5 ± 1,5 mm

Zweitwohnung

Keiner

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Bogen

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Kette

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Struktur

Mikrorohrdichte

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Metallverunreinigungen

≤5E10Atome/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Vordere Qualität

Front

Si

Oberflächenbeschaffenheit

Si-Face-CMP

Partikel

≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm)

NA

Kratzer

≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser

Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser

NA

Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung

Keiner

NA

Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten

Keiner

Polytypiebereiche

Keiner

Kumulierte Fläche ≤ 20 %

Kumulierte Fläche ≤ 30 %

Lasermarkierung vorne

Keiner

Zurück Qualität

Hinterer Abschluss

C-Gesichts-CMP

Kratzer

≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser

NA

Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen)

Keiner

Rückenrauheit

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Lasermarkierung auf der Rückseite

1 mm (ab Oberkante)

Rand

Rand

Fase

Verpackung

Verpackung

Epi-ready mit Vakuumverpackung

Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten

*Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD.

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SiC-Wafer

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