CVD-Bulk-Siliziumkarbid (SiC)
Überblick:CVDBulk-Siliziumkarbid (SiC)ist ein äußerst gefragtes Material in Plasmaätzgeräten, RTP-Anwendungen (Rapid Thermal Processing) und anderen Halbleiterherstellungsprozessen. Seine außergewöhnlichen mechanischen, chemischen und thermischen Eigenschaften machen es zu einem idealen Material für fortschrittliche Technologieanwendungen, die hohe Präzision und Haltbarkeit erfordern.
Anwendungen von CVD Bulk SiC:Bulk-SiC ist in der Halbleiterindustrie von entscheidender Bedeutung, insbesondere in Plasmaätzsystemen, wo Komponenten wie Fokusringe, Gasduschköpfe, Kantenringe und Platten von der hervorragenden Korrosionsbeständigkeit und Wärmeleitfähigkeit von SiC profitieren. Seine Verwendung erstreckt sich aufRTPSysteme aufgrund der Fähigkeit von SiC, schnellen Temperaturschwankungen ohne nennenswerte Verschlechterung standzuhalten.
Neben Ätzgeräten, CVDBulk-SiCwird bevorzugt in Diffusionsöfen und Kristallwachstumsprozessen eingesetzt, wo eine hohe thermische Stabilität und Beständigkeit gegenüber rauen chemischen Umgebungen erforderlich sind. Diese Eigenschaften machen SiC zum Material der Wahl für anspruchsvolle Anwendungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Gasen, beispielsweise solche, die Chlor und Fluor enthalten.
Vorteile von CVD-Massen-SiC-Komponenten:
•Hohe Dichte:Mit einer Dichte von 3,2 g/cm³CVD-Massen-SiCDie Komponenten sind äußerst widerstandsfähig gegen Verschleiß und mechanische Einwirkungen.
•Überlegene Wärmeleitfähigkeit:Mit einer Wärmeleitfähigkeit von 300 W/m·K leitet SiC die Wärme effizient und eignet sich daher ideal für Komponenten, die extremen Wärmezyklen ausgesetzt sind.
•Außergewöhnliche Chemikalienbeständigkeit:Die geringe Reaktivität von SiC mit Ätzgasen, einschließlich Chemikalien auf Chlor- und Fluorbasis, gewährleistet eine längere Lebensdauer der Komponenten.
•Einstellbarer Widerstand: CVD-Massen-SiCsDer spezifische Widerstand kann im Bereich von 10⁻²–10⁴ Ω-cm angepasst werden, wodurch er an spezifische Ätz- und Halbleiterfertigungsanforderungen angepasst werden kann.
•Wärmeausdehnungskoeffizient:Mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000 °C) widersteht CVD-Massen-SiC thermischen Schocks und behält seine Dimensionsstabilität auch bei schnellen Aufheiz- und Abkühlzyklen bei.
•Haltbarkeit im Plasma:Bei Halbleiterprozessen ist die Einwirkung von Plasma und reaktiven Gasen unvermeidlichCVD-Massen-SiCBietet eine hervorragende Korrosions- und Zersetzungsbeständigkeit, wodurch die Austauschhäufigkeit und die Gesamtwartungskosten reduziert werden.
Technische Spezifikationen:
•Durchmesser:Größer als 305 mm
•Widerstand:Einstellbar im Bereich von 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Dichte:3,2 g/cm³
•Wärmeleitfähigkeit:300 W/m·K
•Wärmeausdehnungskoeffizient:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Anpassung und Flexibilität:BeiSemicera SemiconductorWir verstehen, dass jede Halbleiteranwendung unterschiedliche Spezifikationen erfordern kann. Aus diesem Grund sind unsere CVD-Massen-SiC-Komponenten vollständig anpassbar, mit einstellbarem Widerstand und maßgeschneiderten Abmessungen, um Ihren Geräteanforderungen gerecht zu werden. Ganz gleich, ob Sie Ihre Plasmaätzsysteme optimieren oder nach langlebigen Komponenten für RTP- oder Diffusionsprozesse suchen, unser CVD-Bulk-SiC bietet beispiellose Leistung.
