Der P-Typ-SiC-Substratwafer von Semicera ist eine Schlüsselkomponente für die Entwicklung fortschrittlicher elektronischer und optoelektronischer Geräte. Diese Wafer sind speziell für eine verbesserte Leistung in Hochleistungs- und Hochtemperaturumgebungen konzipiert und unterstützen so die wachsende Nachfrage nach effizienten und langlebigen Komponenten.
Die P-Dotierung unserer SiC-Wafer sorgt für eine verbesserte elektrische Leitfähigkeit und Ladungsträgermobilität. Dadurch eignen sie sich besonders für Anwendungen in der Leistungselektronik, LEDs und Photovoltaikzellen, bei denen es auf geringe Verlustleistung und hohe Effizienz ankommt.
Die P-Typ-SiC-Wafer von Semicera werden mit den höchsten Präzisions- und Qualitätsstandards hergestellt und bieten eine hervorragende Oberflächengleichmäßigkeit und minimale Fehlerraten. Diese Eigenschaften sind von entscheidender Bedeutung für Branchen, in denen Konsistenz und Zuverlässigkeit von entscheidender Bedeutung sind, beispielsweise in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie und im Bereich der erneuerbaren Energien.
Das Engagement von Semicera für Innovation und Exzellenz zeigt sich in unserem P-Typ-SiC-Substratwafer. Durch die Integration dieser Wafer in Ihren Produktionsprozess stellen Sie sicher, dass Ihre Geräte von den außergewöhnlichen thermischen und elektrischen Eigenschaften von SiC profitieren und so auch unter schwierigen Bedingungen effektiv funktionieren.
Wenn Sie in den P-Typ-SiC-Substratwafer von Semicera investieren, entscheiden Sie sich für ein Produkt, das modernste Materialwissenschaft mit sorgfältiger Technik kombiniert. Semicera widmet sich der Unterstützung der nächsten Generation elektronischer und optoelektronischer Technologien und stellt die wesentlichen Komponenten bereit, die Sie für Ihren Erfolg in der Halbleiterindustrie benötigen.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
