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Gewöhnliches Discount-Elektro-Doppelspiral-Keramik-Siliziumkarbid-Sic-Heizelement

Gewöhnliches Discount-Elektro-Doppelspiral-Keramik-Siliziumkarbid-Sic-Heizelement. Abgebildetes Bild
  • Gewöhnliches Discount-Elektro-Doppelspiral-Keramik-Siliziumkarbid-Sic-Heizelement

Kurzbeschreibung:

Siliziumkarbid ist eine neue Art von Keramik mit hoher Kostenleistung und hervorragenden Materialeigenschaften. Aufgrund seiner Eigenschaften wie hoher Festigkeit und Härte, hoher Temperaturbeständigkeit, hervorragender Wärmeleitfähigkeit und chemischer Korrosionsbeständigkeit kann Siliziumkarbid nahezu allen chemischen Medien standhalten. Daher wird SiC häufig im Ölbergbau, in der Chemie, im Maschinenbau und im Luftraum eingesetzt, selbst die Kernenergie und das Militär stellen besondere Anforderungen an SIC. Zu den üblichen Anwendungen, die wir anbieten können, gehören Dichtungsringe für Pumpen, Ventile und Schutzpanzerungen usw.


Produktdetails

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Wir verfolgen den Managementgrundsatz „Qualität steht an erster Stelle, Service steht an erster Stelle, Reputation steht an erster Stelle“ und werden aufrichtig den Erfolg mit allen Kunden für gewöhnliche Discount-Elektro-Doppelspiral-Keramik-Siliziumkarbid-Sic-Heizelemente schaffen und teilen, wobei der Kunde an erster Stelle steht! Was auch immer Sie benötigen, wir sollten unser Möglichstes tun, um Ihnen zu helfen. Wir heißen Kunden aus der ganzen Welt herzlich willkommen, mit uns für die gemeinsame Entwicklung zusammenzuarbeiten.
Wir verfolgen den Managementgrundsatz „Qualität steht an erster Stelle, Service steht an erster Stelle, Reputation steht an erster Stelle“ und wir werden aufrichtig Erfolg schaffen und ihn mit allen Kunden teilenChina-Siliziumkarbid-Sic-Heizelement und elektrische HeizelementeWenn Sie Fragen haben, senden Sie uns bitte eine E-Mail mit Ihren umfassenden Anforderungen. Wir bieten Ihnen den wettbewerbsfähigsten Großhandelspreis mit hervorragender Qualität und unschlagbarem erstklassigem Service! Wir können Ihnen die wettbewerbsfähigsten Preise und hohe Qualität bieten, weil wir viel spezialisierter sind! Denken Sie also daran, uns jederzeit zu kontaktieren.

Vorteile

Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen
Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit
Gute Abriebfestigkeit
Hoher Wärmeleitkoeffizient
Selbstschmierfähigkeit, geringe Dichte
Hohe Härte
Individuelles Design.

HGF (2)
HGF (1)

Anwendungen

-Verschleißfestes Feld: Buchse, Platte, Sandstrahldüse, Zyklonauskleidung, Schleiftrommel usw.
-Hochtemperaturfeld: SiC-Platte, Abschreckofenrohr, Strahlungsrohr, Tiegel, Heizelement, Walze, Strahl, Wärmetauscher, Kaltluftrohr, Brennerdüse, Thermoelement-Schutzrohr, SiC-Boot, Ofenwagenstruktur, Setter usw.
-Siliziumkarbid-Halbleiter: SiC-Wafer-Boot, Sic-Chuck, Sic-Paddel, Sic-Kassette, Sic-Diffusionsrohr, Wafer-Gabel, Saugplatte, Führung usw.
-Siliziumkarbid-Dichtungsbereich: alle Arten von Dichtungsringen, Lagern, Buchsen usw.
-Photovoltaikfeld: Auslegerpaddel, Schleiftrommel, Siliziumkarbidwalze usw.
-Lithium-Batteriefeld

WAFER (1)

WAFER (2)

Physikalische Eigenschaften von SiC

Eigentum Wert Verfahren
Dichte 3,21 g/cm³ Sink-Float und Dimension
Spezifische Wärme 0,66 J/g °K Gepulster Laserblitz
Biegefestigkeit 450 MPa560 MPa 4-Punkt-Biegung, RT4-Punkt-Biegung, 1300°
Bruchzähigkeit 2,94 MPa m1/2 Mikroindentation
Härte 2800 Vicker's, 500g Ladung
ElastizitätsmodulYoung-Modul 450 GPa430 GPa 4-Punkt-Bogen, RT4-Punkt-Bogen, 1300 °C
Körnung 2 – 10 µm SEM

Thermische Eigenschaften von SiC

Wärmeleitfähigkeit 250 W/m°K Laserblitzverfahren, RT
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5 x 10-6 °K Raumtemperatur bis 950 °C, Silica-Dilatometer

Technische Parameter

Artikel Einheit Daten
RBSiC(SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
SiC-Gehalt % 85 75 99 99,9 ≥99
Freier Siliziumgehalt % 15 0 0 0 0
Maximale Betriebstemperatur ℃ 1380 1450 1650 1620 1400
Dichte g/cm3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2,65-2,75 2,75-2,85
Offene Porosität % 0 13-15 0 15-18 7-8
Biegefestigkeit 20℃ Мpa 250 160 380 100 /
Biegefestigkeit 1200℃ Мpa 280 180 400 120 /
Elastizitätsmodul 20℃ Gpa 330 580 420 240 /
Elastizitätsmodul 1200℃ Gpa 300 / / 200 /
Wärmeleitfähigkeit 1200℃ W/mK 45 19.6 100-120 36.6 /
Wärmeausdehnungskoeffizient K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4,69 /
HV Kg/mm2 2115 / 2800 / /

Die CVD-Siliziumkarbidbeschichtung auf der Außenfläche rekristallisierter Siliziumkarbid-Keramikprodukte kann eine Reinheit von mehr als 99,9999 % erreichen, um den Anforderungen von Kunden in der Halbleiterindustrie gerecht zu werden.

Bilder

WAFER (3)

WAFER (4)

WAFER (5) WAFER (6)

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