MOCVD-Suszeptor für epitaktisches Wachstum

Der MOCVD-Suszeptor für epitaktisches Wachstum von Semicera, eine führende Lösung zur Optimierung des epitaktischen Wachstumsprozesses für fortschrittliche Halbleiteranwendungen. Der MOCVD-Suszeptor von Semicera gewährleistet eine präzise Kontrolle über Temperatur und Materialabscheidung und ist damit die ideale Wahl für die Erzielung hochwertiger Si-Epitaxie und SiC-Epitaxie. Seine robuste Konstruktion und hohe Wärmeleitfähigkeit ermöglichen eine konstante Leistung in anspruchsvollen Umgebungen und gewährleisten die für epitaktische Wachstumssysteme erforderliche Zuverlässigkeit.

Dieser MOCVD-Suszeptor ist mit verschiedenen Epitaxieanwendungen kompatibel, einschließlich der Produktion von monokristallinem Silizium und dem Wachstum von GaN auf SiC-Epitaxie, was ihn zu einer wesentlichen Komponente für Hersteller macht, die erstklassige Ergebnisse erzielen möchten. Darüber hinaus arbeitet es nahtlos mit den Systemen PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier und RTP Carrier zusammen und steigert so die Prozesseffizienz und Ausbeute. Der Suszeptor eignet sich auch für LED-Epitaxial-Suszeptor-Anwendungen und andere fortschrittliche Halbleiterfertigungsprozesse.

Mit seinem vielseitigen Design kann der MOCVD-Suszeptor von Semicera für den Einsatz in Pancake-Suszeptoren und Barrel-Suszeptoren angepasst werden und bietet Flexibilität in verschiedenen Produktionsaufbauten. Durch die Integration von Photovoltaik-Teilen wird der Anwendungsbereich noch erweitert, sodass es sich ideal sowohl für die Halbleiter- als auch für die Solarindustrie eignet. Diese Hochleistungslösung bietet eine hervorragende thermische Stabilität und Haltbarkeit und sorgt so für langfristige Effizienz bei epitaktischen Wachstumsprozessen.