SiC-beschichteter Graphitträger mit langer Lebensdauer für Solarwafer

Kurzbeschreibung:

Siliziumkarbid ist eine neue Art von Keramik mit hoher Kostenleistung und hervorragenden Materialeigenschaften. Aufgrund seiner Eigenschaften wie hoher Festigkeit und Härte, hoher Temperaturbeständigkeit, hervorragender Wärmeleitfähigkeit und chemischer Korrosionsbeständigkeit kann Siliziumkarbid nahezu allen chemischen Medien standhalten. Daher wird SiC häufig im Ölbergbau, in der Chemie, im Maschinenbau und im Luftraum eingesetzt, selbst die Kernenergie und das Militär stellen besondere Anforderungen an SIC. Zu den üblichen Anwendungen, die wir anbieten können, gehören Dichtungsringe für Pumpen, Ventile, Schutzpanzerungen usw.

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Produktdetails

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Vorteile

Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen
Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit
Gute Abriebfestigkeit
Hoher Wärmeleitfähigkeitskoeffizient
Selbstschmierfähigkeit, geringe Dichte
Hohe Härte
Individuelles Design.

Anwendungen

-Verschleißfestes Feld: Buchse, Platte, Sandstrahldüse, Zyklonauskleidung, Schleiftrommel usw.
-Hochtemperaturfeld: SiC-Platte, Abschreckofenrohr, Strahlungsrohr, Tiegel, Heizelement, Walze, Strahl, Wärmetauscher, Kaltluftrohr, Brennerdüse, Thermoelement-Schutzrohr, SiC-Boot, Ofenwagenstruktur, Setter usw.
-Siliziumkarbid-Halbleiter: SiC-Wafer-Boot, Sic-Chuck, Sic-Paddel, Sic-Kassette, Sic-Diffusionsrohr, Wafer-Gabel, Saugplatte, Führung usw.
-Siliziumkarbid-Dichtungsbereich: alle Arten von Dichtungsringen, Lagern, Buchsen usw.
-Photovoltaikfeld: Auslegerpaddel, Schleiftrommel, Siliziumkarbidwalze usw.
-Lithium-Batteriefeld

WAFER (1)

WAFER (2)

Physikalische Eigenschaften von SiC

Eigentum	Wert	Verfahren
Dichte	3,21 g/cm³	Sink-Float und Dimension
Spezifische Wärme	0,66 J/g °K	Gepulster Laserblitz
Biegefestigkeit	450 MPa560 MPa	4-Punkt-Biegung, RT4-Punkt-Biegung, 1300°
Bruchzähigkeit	2,94 MPa m1/2	Mikroindentation
Härte	2800	Vicker's, 500g Ladung
ElastizitätsmodulYoung-Modul	450 GPa430 GPa	4-Punkt-Bogen, RT4-Punkt-Bogen, 1300 °C
Körnung	2 – 10 µm	SEM

Thermische Eigenschaften von SiC

Wärmeleitfähigkeit	250 W/m°K	Laserblitzverfahren, RT
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Raumtemperatur bis 950 °C, Silica-Dilatometer

Technische Parameter

Artikel	Einheit	Daten
Artikel	Einheit	RBSiC(SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
SiC-Gehalt	%	85	75	99	99,9	≥99
Freier Siliziumgehalt	%	15	0	0	0	0
Maximale Betriebstemperatur	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Dichte	g/cm³	3.02	2,75-2,85	3.08-3.16	2,65-2,75	2,75-2,85
Offene Porosität	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Biegefestigkeit 20℃	Мpa	250	160	380	100	/
Biegefestigkeit 1200℃	Мpa	280	180	400	120	/
Elastizitätsmodul 20℃	Gpa	330	580	420	240	/
Elastizitätsmodul 1200℃	Gpa	300	/	/	200	/
Wärmeleitfähigkeit 1200℃	W/mK	45	19.6	100-120	36.6	/
Wärmeausdehnungskoeffizient	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4,69	/
HV	Kg/m^m2	2115	/	2800	/	/

Die CVD-Siliziumkarbidbeschichtung auf der Außenfläche rekristallisierter Siliziumkarbid-Keramikprodukte kann eine Reinheit von mehr als 99,9999 % erreichen, um den Anforderungen von Kunden in der Halbleiterindustrie gerecht zu werden.