Der LiNbO3-Bondwafer von Semicera wurde entwickelt, um den hohen Anforderungen der fortschrittlichen Halbleiterfertigung gerecht zu werden. Mit seinen außergewöhnlichen Eigenschaften, einschließlich hervorragender Verschleißfestigkeit, hoher thermischer Stabilität und herausragender Reinheit, ist dieser Wafer ideal für den Einsatz in Anwendungen, die Präzision und dauerhafte Leistung erfordern.
In der Halbleiterindustrie werden LiNbO3-Bondwafer häufig zum Verbinden dünner Schichten in optoelektronischen Geräten, Sensoren und fortschrittlichen ICs verwendet. Sie werden aufgrund ihrer hervorragenden dielektrischen Eigenschaften und ihrer Fähigkeit, rauen Betriebsbedingungen standzuhalten, besonders in der Photonik und MEMS (Mikroelektromechanische Systeme) geschätzt. Der LiNbO3-Bondwafer von Semicera wurde entwickelt, um eine präzise Schichtbindung zu unterstützen und so die Gesamtleistung und Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen zu verbessern.
| Thermische und elektrische Eigenschaften von LiNbO3 | |
| Schmelzpunkt | 1250 ℃ |
| Curie-Temperatur | 1140 ℃ |
| Wärmeleitfähigkeit | 38 W/m/K bei 25 °C |
| Wärmeausdehnungskoeffizient (bei 25 °C) | //a，2,0×10-6/K //c，2,2×10-6/K |
| Widerstand | 2×10-6Ω·cm bei 200 ℃ |
| Dielektrizitätskonstante | εS11/ε0=43, εT11/ε0=78 εS33/ε0=28,εT33/ε0=2 |
| Piezoelektrische Konstante | D22=2,04×10-11C/N D33=19,22×10-11C/N |
| Elektrooptischer Koeffizient | γT33=32 pm/V, γS33=31 Uhr/V， γT31=10 pm/V, γS31=8,6 Uhr/V, γT22=6,8 pm/V, γS22=3,4 Uhr/V, |
| Halbwellenspannung, Gleichstrom | 3,03 KV 4,02 KV |
Der aus hochwertigen Materialien gefertigte LiNbO3-Bondwafer sorgt für gleichbleibende Zuverlässigkeit auch unter extremen Bedingungen. Aufgrund seiner hohen thermischen Stabilität eignet es sich besonders für Umgebungen mit erhöhten Temperaturen, wie sie beispielsweise bei Halbleiterepitaxieprozessen auftreten. Darüber hinaus gewährleistet die hohe Reinheit des Wafers eine minimale Kontamination, was ihn zu einer zuverlässigen Wahl für kritische Halbleiteranwendungen macht.
Bei Semicera sind wir bestrebt, branchenführende Lösungen anzubieten. Unser LiNbO3-Bondwafer bietet unübertroffene Haltbarkeit und Hochleistungsfähigkeiten für Anwendungen, die hohe Reinheit, Verschleißfestigkeit und thermische Stabilität erfordern. Ob für die fortschrittliche Halbleiterproduktion oder andere Spezialtechnologien, dieser Wafer dient als wesentliche Komponente für die Herstellung modernster Geräte.
