LiNbO3-Bondwafer

Kurzbeschreibung:

Lithiumniobatkristall hat ausgezeichnete elektrooptische, akusto-optische, piezoelektrische und nichtlineare Eigenschaften. Lithiumniobatkristall ist ein wichtiger multifunktionaler Kristall mit guten nichtlinearen optischen Eigenschaften und einem großen nichtlinearen optischen Koeffizienten; Es kann auch eine unkritische Phasenanpassung erreicht werden. Als elektrooptischer Kristall wurde er als wichtiges optisches Wellenleitermaterial verwendet; Als piezoelektrischer Kristall kann er zur Herstellung von mittel- und niederfrequenten SAW-Filtern, leistungsstarken, hochtemperaturbeständigen Ultraschallwandlern usw. verwendet werden. Auch dotierte Lithiumniobat-Materialien werden häufig verwendet.


Produktdetails

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Der LiNbO3-Bondwafer von Semicera wurde entwickelt, um den hohen Anforderungen der fortschrittlichen Halbleiterfertigung gerecht zu werden. Mit seinen außergewöhnlichen Eigenschaften, einschließlich hervorragender Verschleißfestigkeit, hoher thermischer Stabilität und herausragender Reinheit, ist dieser Wafer ideal für den Einsatz in Anwendungen, die Präzision und dauerhafte Leistung erfordern.

In der Halbleiterindustrie werden LiNbO3-Bondwafer häufig zum Verbinden dünner Schichten in optoelektronischen Geräten, Sensoren und fortschrittlichen ICs verwendet. Aufgrund ihrer hervorragenden dielektrischen Eigenschaften und ihrer Fähigkeit, rauen Betriebsbedingungen standzuhalten, werden sie besonders in der Photonik und MEMS (Mikroelektromechanische Systeme) geschätzt. Der LiNbO3-Bondwafer von Semicera wurde entwickelt, um eine präzise Schichtbindung zu unterstützen und so die Gesamtleistung und Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen zu verbessern.

Thermische und elektrische Eigenschaften von LiNbO3
Schmelzpunkt 1250 ℃
Curie-Temperatur 1140 ℃
Wärmeleitfähigkeit 38 W/m/K bei 25 °C
Wärmeausdehnungskoeffizient (bei 25 °C)

//a,2,0×10-6/K

//c,2,2×10-6/K

Widerstand 2×10-6Ω·cm bei 200 ℃
Dielektrizitätskonstante

εS11/ε0=43, εT11/ε0=78

εS33/ε0=28,εT33/ε0=2

Piezoelektrische Konstante

D22=2,04×10-11C/N

D33=19,22×10-11C/N

Elektrooptischer Koeffizient

γT33=32 pm/V, γS33=31 Uhr/V,

γT31=10 pm/V, γS31=8,6 Uhr/V,

γT22=6,8 pm/V, γS22=3,4 Uhr/V,

Halbwellenspannung, Gleichstrom
Elektrisches Feld // z, Licht ⊥ Z;
Elektrisches Feld // x oder y, Licht ⊥ z

3,03 KV

4,02 KV

Der aus hochwertigen Materialien gefertigte LiNbO3-Bondwafer sorgt für gleichbleibende Zuverlässigkeit auch unter extremen Bedingungen. Aufgrund seiner hohen thermischen Stabilität eignet es sich besonders für Umgebungen mit erhöhten Temperaturen, wie sie beispielsweise bei Halbleiterepitaxieprozessen auftreten. Darüber hinaus gewährleistet die hohe Reinheit des Wafers eine minimale Kontamination, was ihn zu einer zuverlässigen Wahl für kritische Halbleiteranwendungen macht.

Bei Semicera sind wir bestrebt, branchenführende Lösungen anzubieten. Unser LiNbO3-Bondwafer bietet unübertroffene Haltbarkeit und Hochleistungsfähigkeiten für Anwendungen, die hohe Reinheit, Verschleißfestigkeit und thermische Stabilität erfordern. Ob für die fortschrittliche Halbleiterproduktion oder andere Spezialtechnologien, dieser Wafer dient als wesentliche Komponente für die Herstellung modernster Geräte.

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