Großes Waferschiffchen aus rekristallisiertem Siliziumkarbid

Kurzbeschreibung:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. ist ein in China ansässiges High-Tech-Unternehmen. Wir sind ein professioneller Hersteller und Lieferant von rekristallisierten Siliziumkarbid-Kristallbooten für die Halbleiterindustrie.


Produktdetails

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Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid

Rekristallisiertes Siliziumkarbid (R-SiC) ist ein Hochleistungsmaterial mit einer Härte, die nur von Diamant übertroffen wird und bei einer hohen Temperatur über 2000℃ gebildet wird. Es behält viele hervorragende Eigenschaften von SiC bei, wie z. B. Hochtemperaturfestigkeit, starke Korrosionsbeständigkeit, ausgezeichnete Oxidationsbeständigkeit, gute Temperaturwechselbeständigkeit und so weiter.

● Hervorragende mechanische Eigenschaften. Rekristallisiertes Siliziumkarbid hat eine höhere Festigkeit und Steifigkeit als Kohlenstofffasern, eine hohe Schlagfestigkeit, kann in Umgebungen mit extremen Temperaturen eine gute Leistung erbringen und kann in einer Vielzahl von Situationen eine bessere Gegengewichtsleistung erbringen. Darüber hinaus weist es eine gute Flexibilität auf und wird durch Dehnung und Biegung nicht so leicht beschädigt, was seine Leistung erheblich verbessert.

● Hohe Korrosionsbeständigkeit. Rekristallisiertes Siliziumkarbid weist eine hohe Korrosionsbeständigkeit gegenüber einer Vielzahl von Medien auf, kann die Erosion einer Vielzahl von korrosiven Medien verhindern, kann seine mechanischen Eigenschaften über einen langen Zeitraum beibehalten, weist eine starke Haftung auf, sodass es eine längere Lebensdauer hat. Darüber hinaus weist es eine gute thermische Stabilität auf, kann sich an einen bestimmten Temperaturbereich anpassen und seine Anwendungswirkung verbessern.

● Beim Sintern kommt es nicht zu Schrumpfungen. Da es beim Sintern nicht zu einer Schrumpfung kommt, führt keine Restspannung zu Verformungen oder Rissen im Produkt und es können Teile mit komplexen Formen und hoher Präzision hergestellt werden.

Technische Parameter:

Bild 2

Materialdatenblatt

材料Material

R-SiC

使用温度Arbeitstemperatur (°C)

1600°C (氧化气氛Oxidierende Umgebung)

1700°C (还原气氛Reduzierende Umgebung)

SiC含量SiC-Gehalt (%)

> 99

自由Si含量Freier Si-Gehalt (%)

< 0,1

体积密度Schüttdichte (g/cm3)

2,60-2,70

气孔率Scheinbare Porosität (%)

< 16

抗压强度Druckfestigkeit (MPa)

> 600

常温抗弯强度Kaltbiegefestigkeit (MPa)

80-90 (20°C)

高温抗弯强度Warmbiegefestigkeit (MPa)

90-100 (1400°C)

热膨胀系数

Wärmeausdehnungskoeffizient bei 1500 °C (10-6/°C)

4,70

导热系数Wärmeleitfähigkeit bei 1200°C (W/mK)

23

杨氏模量Elastizitätsmodul (GPa)

240

抗热震性Thermoschockbeständigkeit

很好Extrem gut

Siliziumkarbid-Kristallschiffchen (2)
Siliziumkarbid-Kristallschiffchen (3)
Siliziumkarbid-Kristallschiffchen (4)
Siliziumkarbid-Wafer-Boot (5)
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