InP- und CdTe-Substrat

Kurzbeschreibung:

Die InP- und CdTe-Substratlösungen von Semicera sind für Hochleistungsanwendungen in der Halbleiter- und Solarenergieindustrie konzipiert. Unsere InP- (Indiumphosphid) und CdTe-Substrate (Cadmiumtellurid) bieten außergewöhnliche Materialeigenschaften, darunter hohe Effizienz, hervorragende elektrische Leitfähigkeit und robuste thermische Stabilität. Diese Substrate eignen sich ideal für den Einsatz in fortschrittlichen optoelektronischen Geräten, Hochfrequenztransistoren und Dünnschichtsolarzellen und bieten eine zuverlässige Grundlage für Spitzentechnologien.


Produktdetails

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Mit SemicerasInP- und CdTe-Substratkönnen Sie höchste Qualität und Präzisionsfertigung erwarten, um den spezifischen Anforderungen Ihrer Herstellungsprozesse gerecht zu werden. Ob für Photovoltaik-Anwendungen oder Halbleitergeräte, unsere Substrate sind so gefertigt, dass sie optimale Leistung, Haltbarkeit und Konsistenz gewährleisten. Als vertrauenswürdiger Lieferant ist Semicera bestrebt, qualitativ hochwertige, anpassbare Substratlösungen zu liefern, die Innovationen in den Bereichen Elektronik und erneuerbare Energien vorantreiben.

Kristalline und elektrische Eigenschaften1

Typ
Dotierstoff
EPD(cm–2)(Siehe unten A.)
DF (fehlerfreie) Fläche (cm).2, Siehe unten B.)
c/(c cm–3
Mobilität cm2/Vs)
Widerstand(y Ω・cm)
n
Sn
≦5×104
≦1×104
≦5×103
──────
 

(0,5〜6)×1018
──────
──────
n
S
──────
≧ 10(59,4%)
≧ 15(87%).4
(2〜10)×1018
──────
──────
p
Zn
──────
≧ 10(59,4%)
≧ 15(87%).
(3〜6)×1018
──────
──────
SI
Fe
≦5×104
≦1×104
──────
──────
──────
≧ 1×106
n
keiner
≦5×104
──────
≦1×1016
≧ 4×103
──────
1 Weitere Spezifikationen sind auf Anfrage erhältlich.

A.13 Punktedurchschnitt

1. Die Dichte der Versetzungsätzgruben wird an 13 Punkten gemessen.

2. Der flächengewichtete Durchschnitt der Versetzungsdichten wird berechnet.

B.DF Flächenmessung (bei Flächengarantie)

1. Versetzungsätzgrubendichten von 69 Punkten (siehe rechts) werden gezählt.

2. DF ist definiert als EPD von weniger als 500 cm–2
3. Die mit dieser Methode gemessene maximale DF-Fläche beträgt 17,25 cm2
InP- und CdTe-Substrat (2)
InP- und CdTe-Substrat (1)
InP- und CdTe-Substrat (3)

Allgemeine Spezifikationen für InP-Einkristallsubstrate

1. Orientierung
Oberflächenorientierung (100)±0,2º oder (100)±0,05º
Die Ausrichtung außerhalb der Oberfläche ist auf Anfrage möglich.
Ausrichtung der Fläche OF: (011)±1º oder (011)±0,1º IF: (011)±2º
Gespaltenes OF ist auf Anfrage erhältlich.
2. Lasermarkierung basierend auf dem SEMI-Standard ist verfügbar.
3. Einzelpakete sowie Pakete mit N2-Gas sind erhältlich.
4. Etch-and-Pack in N2-Gas ist verfügbar.
5. Es sind rechteckige Waffeln erhältlich.
Die obige Spezifikation entspricht dem JX-Standard.
Sollten andere Spezifikationen erforderlich sein, fragen Sie uns bitte an.

Orientierung

 

InP- und CdTe-Substrat (4)(1)
Semicera Arbeitsplatz
Semicera Arbeitsplatz 2
Ausrüstungsmaschine
CNN-Verarbeitung, chemische Reinigung, CVD-Beschichtung
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