Hochwertige und kostengünstige Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung

Kurzbeschreibung:

Poröses Tantalcarbid wird hauptsächlich zur Filterung von Gasphasenkomponenten, zur Anpassung des lokalen Temperaturgradienten, zur Führung der Materialflussrichtung, zur Kontrolle von Leckagen usw. verwendet. Es kann mit einem anderen festen Tantalcarbid (kompakt) oder einer Tantalcarbidbeschichtung von Semicera Technology verwendet werden, um lokale Komponenten zu bilden mit unterschiedlichem Strömungsleitwert.

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Produktdetails

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Semicera bietet spezielle Tantalcarbid (TaC)-Beschichtungen für verschiedene Komponenten und Träger.Der führende Beschichtungsprozess von Semicera ermöglicht Tantalcarbid (TaC)-Beschichtungen, eine hohe Reinheit, hohe Temperaturstabilität und hohe chemische Toleranz zu erreichen und so die Produktqualität von SIC/GAN-Kristallen und EPI-Schichten zu verbessern (Graphitbeschichteter TaC-Suszeptor) und die Verlängerung der Lebensdauer wichtiger Reaktorkomponenten. Der Einsatz der Tantalcarbid-TaC-Beschichtung soll das Kantenproblem lösen und die Qualität des Kristallwachstums verbessern, und Semicera hat einen Durchbruch bei der Tantalcarbid-Beschichtungstechnologie (CVD) gelöst und damit das internationale Spitzenniveau erreicht.

Nach Jahren der Entwicklung hat Semicera die Technologie erobertCVD TaCmit den gemeinsamen Anstrengungen der Forschungs- und Entwicklungsabteilung. Während des Wachstumsprozesses von SiC-Wafern, aber auch nach der Verwendung, können leicht Defekte auftretenTaC, der Unterschied ist erheblich. Nachfolgend finden Sie einen Vergleich von Wafern mit und ohne TaC sowie von Semicera-Teilen für die Einkristallzüchtung

Tac-Teil für das Wachstum eines Einkristalls

Anti-Verschleiß-Tantalkarbid-Beschichtung_ Schützt Geräte vor Verschleiß und Korrosion. Bild im Bild

Graphit mit TaC-beschichtetem Ring

mit und ohne TaC

Nach der Verwendung von TaC (rechts)

Darüber hinaus ist die Lebensdauer der TaC-Beschichtungsprodukte von Semicera länger und widerstandsfähiger gegenüber hohen Temperaturen als die der SiC-Beschichtung. Nach langen Labormessdaten kann unser TaC lange Zeit bei maximal 2300 Grad Celsius arbeiten. Im Folgenden finden Sie einige unserer Beispiele: