Semicera Hohe ReinheitSiliziumkarbid-Paddelwurde sorgfältig entwickelt, um den strengen Anforderungen moderner Halbleiterfertigungsprozesse gerecht zu werden. DasSiC-Cantilever-Paddelzeichnet sich durch hervorragende thermische Stabilität und mechanische Haltbarkeit in Umgebungen mit hohen Temperaturen aus. Die SiC-Cantilever-Struktur ist so konstruiert, dass sie extremen Bedingungen standhält und eine zuverlässige Waferhandhabung während verschiedener Prozesse gewährleistet.
Eine der Schlüsselinnovationen derSiC-Paddelist sein leichtes und dennoch robustes Design, das eine einfache Integration in bestehende Systeme ermöglicht. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit trägt dazu bei, die Waferstabilität in kritischen Phasen wie Ätzen und Abscheiden aufrechtzuerhalten, wodurch das Risiko einer Waferbeschädigung minimiert und höhere Produktionsausbeuten gewährleistet werden. Die Verwendung von hochdichtem Siliziumkarbid in der Paddelkonstruktion erhöht die Verschleißfestigkeit, sorgt für eine längere Lebensdauer und reduziert die Notwendigkeit häufiger Austausche.
Semicera legt großen Wert auf Innovation und liefert eineSiC-Cantilever-Paddeldas die Industriestandards nicht nur erfüllt, sondern übertrifft. Dieses Paddel ist für den Einsatz in verschiedenen Halbleiteranwendungen optimiert, von der Abscheidung bis zum Ätzen, bei denen es auf Präzision und Zuverlässigkeit ankommt. Durch die Integration dieser Spitzentechnologie können Hersteller eine verbesserte Effizienz, geringere Wartungskosten und eine gleichbleibende Produktqualität erwarten.
Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid | |
Eigentum | Typischer Wert |
Arbeitstemperatur (°C) | 1600°C (mit Sauerstoff), 1700°C (reduzierende Umgebung) |
SiC-Gehalt | > 99,96 % |
Kostenlose Si-Inhalte | < 0,1 % |
Schüttdichte | 2,60–2,70 g/cm3 |
Scheinbare Porosität | < 16 % |
Kompressionsstärke | > 600 MPa |
Kaltbiegefestigkeit | 80-90 MPa (20°C) |
Warmbiegefestigkeit | 90–100 MPa (1400 °C) |
Wärmeausdehnung bei 1500 °C | 4,70 10-6/°C |
Wärmeleitfähigkeit bei 1200 °C | 23 W/m·K |
Elastizitätsmodul | 240 GPa |
Thermoschockbeständigkeit | Extrem gut |