Paddel aus hochreinem Siliziumkarbid

Kurzbeschreibung:

Das hochreine Siliziumkarbid-Paddel von Semicera wurde für fortschrittliche Halbleiteranwendungen entwickelt und bietet hervorragende thermische Stabilität und mechanische Festigkeit. Dieses SiC-Paddel gewährleistet eine präzise Waferhandhabung und ist somit die ideale Wahl für Umgebungen mit hohen Temperaturen. Kontaktieren Sie uns für Anfragen!


Produktdetails

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Semicera Hohe ReinheitSiliziumkarbid-Paddelwurde sorgfältig entwickelt, um den strengen Anforderungen moderner Halbleiterfertigungsprozesse gerecht zu werden. DasSiC-Cantilever-Paddelzeichnet sich durch hervorragende thermische Stabilität und mechanische Haltbarkeit in Umgebungen mit hohen Temperaturen aus. Die SiC-Cantilever-Struktur ist so konstruiert, dass sie extremen Bedingungen standhält und eine zuverlässige Waferhandhabung während verschiedener Prozesse gewährleistet.

Eine der Schlüsselinnovationen derSiC-Paddelist sein leichtes und dennoch robustes Design, das eine einfache Integration in bestehende Systeme ermöglicht. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit trägt dazu bei, die Waferstabilität in kritischen Phasen wie Ätzen und Abscheiden aufrechtzuerhalten, wodurch das Risiko einer Waferbeschädigung minimiert und höhere Produktionsausbeuten gewährleistet werden. Die Verwendung von hochdichtem Siliziumkarbid in der Paddelkonstruktion erhöht die Verschleißfestigkeit, sorgt für eine längere Lebensdauer und reduziert die Notwendigkeit häufiger Austausche.

Semicera legt großen Wert auf Innovation und liefert eineSiC-Cantilever-Paddeldas die Industriestandards nicht nur erfüllt, sondern übertrifft. Dieses Paddel ist für den Einsatz in verschiedenen Halbleiteranwendungen optimiert, von der Abscheidung bis zum Ätzen, bei denen es auf Präzision und Zuverlässigkeit ankommt. Durch die Integration dieser Spitzentechnologie können Hersteller eine verbesserte Effizienz, geringere Wartungskosten und eine gleichbleibende Produktqualität erwarten.

Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid

Eigentum

Typischer Wert

Arbeitstemperatur (°C)

1600°C (mit Sauerstoff), 1700°C (reduzierende Umgebung)

SiC-Gehalt

> 99,96 %

Kostenlose Si-Inhalte

< 0,1 %

Schüttdichte

2,60–2,70 g/cm3

Scheinbare Porosität

< 16 %

Kompressionsstärke

> 600 MPa

Kaltbiegefestigkeit

80-90 MPa (20°C)

Warmbiegefestigkeit

90–100 MPa (1400 °C)

Wärmeausdehnung bei 1500 °C

4,70 10-6/°C

Wärmeleitfähigkeit bei 1200 °C

23 W/m·K

Elastizitätsmodul

240 GPa

Thermoschockbeständigkeit

Extrem gut

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Semicera Arbeitsplatz
Semicera Arbeitsplatz 2
Ausrüstungsmaschine
CNN-Verarbeitung, chemische Reinigung, CVD-Beschichtung
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