Hochreines SiC-Pulver

Kurzbeschreibung:

Hochreines SiC-Pulver von Semicera zeichnet sich durch einen außergewöhnlich hohen Kohlenstoff- und Siliziumgehalt mit Reinheitsgraden von 4N bis 6N aus. Mit Partikelgrößen von Nanometern bis Mikrometern verfügt es über eine große spezifische Oberfläche. Das SiC-Pulver von Semicera verbessert die Reaktivität, Dispergierbarkeit und Oberflächenaktivität und ist ideal für fortschrittliche Materialanwendungen.

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Siliziumkarbid (SiC)wird für elektronische Komponenten, insbesondere bei Anwendungen mit großer Bandlücke, immer mehr zur bevorzugten Wahl gegenüber Silizium. SiC bietet eine verbesserte Energieeffizienz, kompakte Größe, reduziertes Gewicht und niedrigere Gesamtsystemkosten.

Die Nachfrage nach hochreinen SiC-Pulvern in der Elektronik- und Halbleiterindustrie hat Semicera dazu veranlasst, ein überlegenes hochreines SiC-Pulver zu entwickelnSiC-Pulver. Semiceras innovative Methode zur Herstellung von hochreinem SiC führt zu Pulvern, die sanftere Morphologieänderungen, einen langsameren Materialverbrauch und stabilere Wachstumsgrenzflächen in Kristallwachstumsaufbauten aufweisen.

Unser hochreines SiC-Pulver ist in verschiedenen Größen erhältlich und kann individuell an die spezifischen Kundenanforderungen angepasst werden. Für weitere Einzelheiten und zur Besprechung Ihres Projekts wenden Sie sich bitte an Semicera.