Das hochreine CVD-SiC-Rohmaterial von Semicera ist ein fortschrittliches Material, das für den Einsatz in Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde, die außergewöhnliche thermische Stabilität, Härte und elektrische Eigenschaften erfordern. Dieser aus hochwertigem Siliziumkarbid durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) hergestellte Rohstoff bietet eine hervorragende Reinheit und Konsistenz und eignet sich daher ideal für die Halbleiterfertigung, Hochtemperaturbeschichtungen und andere industrielle Präzisionsanwendungen.
Das hochreine CVD-SiC-Rohmaterial von Semicera ist für seine hervorragende Beständigkeit gegen Verschleiß, Oxidation und Thermoschock bekannt und gewährleistet eine zuverlässige Leistung auch in den anspruchsvollsten Umgebungen. Ob bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, Schleifwerkzeugen oder fortschrittlichen Beschichtungen: Dieses Material bietet eine solide Grundlage für Hochleistungsanwendungen, die höchste Ansprüche an Reinheit und Präzision erfordern.
Mit dem hochreinen CVD-SiC-Rohmaterial von Semicera können Hersteller eine überlegene Produktqualität und Betriebseffizienz erzielen. Dieses Material unterstützt eine Reihe von Branchen, von der Elektronik bis zur Energiebranche, und bietet unübertroffene Haltbarkeit und Leistung.
Die hochreinen CVD-Siliziumkarbid-Rohstoffe von Semicera weisen folgende Eigenschaften auf:
▪Hohe Reinheit:extrem niedriger Verunreinigungsgehalt, was die Zuverlässigkeit des Geräts gewährleistet.
▪Hohe Kristallinität:perfekte Kristallstruktur, die zur Verbesserung der Leistung des Geräts beiträgt.
▪Geringe Defektdichte:geringe Anzahl von Defekten, wodurch der Leckstrom des Geräts verringert wird.
▪Große Größe:Es können großformatige Siliziumkarbidsubstrate bereitgestellt werden, um den Anforderungen verschiedener Kunden gerecht zu werden.
▪Maßgeschneiderter Service:Verschiedene Arten und Spezifikationen von Siliziumkarbidmaterialien können je nach Kundenwunsch angepasst werden.
Produktvorteile
▪ Große Bandlücke:Siliziumkarbid verfügt über eine große Bandlücke, die ihm eine hervorragende Leistung in rauen Umgebungen wie hohen Temperaturen, hohem Druck und hoher Frequenz ermöglicht.
▪Hohe Durchbruchspannung:Siliziumkarbid-Geräte haben eine höhere Durchbruchspannung und können Geräte mit höherer Leistung herstellen.
▪Hohe Wärmeleitfähigkeit:Siliziumkarbid verfügt über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, was die Wärmeableitung des Geräts begünstigt.
▪Hohe Elektronenmobilität:Siliziumkarbid-Geräte verfügen über eine höhere Elektronenmobilität, wodurch die Betriebsfrequenz des Geräts erhöht werden kann.
