Semicera Semiconductor bietet State-of-the-ArtSiC-Kristallemit einem hocheffizienten Verfahren angebautPVT-Methode. Durch die NutzungCVD-SiCMit regenerativen Blöcken als SiC-Quelle haben wir eine bemerkenswerte Wachstumsrate von 1,46 mm h−1 erreicht und so eine erstklassige Kristallbildung mit geringen Mikrotubuli- und Versetzungsdichten gewährleistet. Dieses innovative Verfahren garantiert eine hohe LeistungSiC-Kristallegeeignet für anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungshalbleiterindustrie.
SiC-Kristallparameter (Spezifikation)
- Wachstumsmethode: Physical Vapour Transport (PVT)
- Wachstumsrate: 1,46 mm h−1
- Kristallqualität: Hoch, mit geringer Mikrotubuli- und Versetzungsdichte
- Material: SiC (Siliziumkarbid)
- Anwendung: Hochspannungs-, Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen
Eigenschaften und Anwendung von SiC-Kristallen
Semicera Semiconductor's SiC-Kristallesind ideal fürHochleistungshalbleiteranwendungen. Das Halbleitermaterial mit großer Bandlücke eignet sich perfekt für Hochspannungs-, Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen. Unsere Kristalle sind so konzipiert, dass sie den strengsten Qualitätsstandards entsprechen und Zuverlässigkeit und Effizienz gewährleistenLeistungshalbleiteranwendungen.
Details zum SiC-Kristall
Verwendung zerkleinertCVD-SiC-Blöckeals Ausgangsmaterial, unserSiC-Kristalleweisen im Vergleich zu herkömmlichen Methoden eine überlegene Qualität auf. Der fortschrittliche PVT-Prozess minimiert Defekte wie Kohlenstoffeinschlüsse und sorgt für einen hohen Reinheitsgrad, wodurch unsere Kristalle hervorragend geeignet sindHalbleiterprozessehöchste Präzision erfordern.
