SiC-beschichtetGraphit-Halbmondteilist eine Schlüsselkomponente für Halbleiterherstellungsprozesse, insbesondere für SiC-Epitaxieanlagen. Wir nutzen unsere patentierte Technologie, um das Halbmondteil mit extrem hoher Reinheit, guter Beschichtungsgleichmäßigkeit und ausgezeichneter Lebensdauer sowie hoher chemischer Beständigkeit und thermischen Stabilitätseigenschaften herzustellen.
