Beschreibung
Unser Unternehmen bietetSiC-BeschichtungProzessdienstleistungen durch CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien, so dass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, Moleküle, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern und eine bildenSiC-Schutzschicht.
Hauptmerkmale
1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:
Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen bis zu 1600 °C noch sehr gut.
2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
| SiC-CVD-Eigenschaften | ||
| Kristallstruktur | FCC-β-Phase | |
| Dichte | g/cm³ | 3.21 |
| Härte | Vickershärte | 2500 |
| Körnung | μm | 2~10 |
| Chemische Reinheit | % | 99,99995 |
| Wärmekapazität | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimationstemperatur | ℃ | 2700 |
| Biegekraft | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
| Elastizitätsmodul | Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃) | 430 |
| Wärmeausdehnung (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Wärmeleitfähigkeit | (W/mK) | 300 |
Ausrüstung
