Atomlagenabscheidung (ALD) ist eine chemische Gasphasenabscheidungstechnologie, bei der dünne Filme Schicht für Schicht wachsen, indem zwei oder mehr Vorläufermoleküle abwechselnd injiziert werden. ALD bietet die Vorteile einer hohen Steuerbarkeit und Gleichmäßigkeit und kann in großem Umfang in Halbleiterbauelementen, optoelektronischen Bauelementen, Energiespeichergeräten und anderen Bereichen eingesetzt werden. Zu den Grundprinzipien der ALD gehören die Adsorption von Vorläufern, die Oberflächenreaktion und die Entfernung von Nebenprodukten. Durch die Wiederholung dieser Schritte in einem Zyklus können mehrschichtige Materialien gebildet werden. ALD weist die Eigenschaften und Vorteile einer hohen Kontrollierbarkeit, Gleichmäßigkeit und nichtporösen Struktur auf und kann für die Abscheidung einer Vielzahl von Substratmaterialien und verschiedenen Materialien verwendet werden.
ALD hat die folgenden Eigenschaften und Vorteile:
1. Hohe Kontrollierbarkeit:Da es sich bei ALD um einen schichtweisen Wachstumsprozess handelt, können Dicke und Zusammensetzung jeder Materialschicht präzise gesteuert werden.
2. Einheitlichkeit:ALD kann Materialien gleichmäßig auf der gesamten Substratoberfläche abscheiden und vermeidet so Unebenheiten, die bei anderen Abscheidungstechnologien auftreten können.
3. Nichtporöse Struktur:Da ALD in Einheiten aus einzelnen Atomen oder einzelnen Molekülen abgeschieden wird, weist der resultierende Film normalerweise eine dichte, nicht poröse Struktur auf.
4. Gute Abdeckungsleistung:ALD kann Strukturen mit hohem Aspektverhältnis, wie Nanoporen-Arrays, Materialien mit hoher Porosität usw., effektiv abdecken.
5. Skalierbarkeit:ALD kann für eine Vielzahl von Substratmaterialien verwendet werden, darunter Metalle, Halbleiter, Glas usw.
6. Vielseitigkeit:Durch die Auswahl verschiedener Vorläufermoleküle können im ALD-Prozess eine Vielzahl unterschiedlicher Materialien abgeschieden werden, beispielsweise Metalloxide, Sulfide, Nitride usw.
