Das leitfähige 8-Zoll-N-Typ-SiC-Substrat bietet eine beispiellose Leistung für leistungselektronische Geräte und bietet eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, eine hohe Durchbruchspannung und eine hervorragende Qualität für fortschrittliche Halbleiteranwendungen. Semicera bietet branchenführende Lösungen mit seinem hochentwickelten leitfähigen 8-Zoll-N-Typ-SiC-Substrat.
Das leitfähige 8-Zoll-N-Typ-SiC-Substrat von Semicera ist ein hochmodernes Material, das den wachsenden Anforderungen der Leistungselektronik und Hochleistungshalbleiteranwendungen gerecht wird. Das Substrat vereint die Vorteile von Siliziumkarbid und der n-Leitfähigkeit, um eine unübertroffene Leistung in Geräten zu liefern, die eine hohe Leistungsdichte, thermische Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern.
Das leitfähige 8-Zoll-n-Typ-SiC-Substrat von Semicera ist sorgfältig gefertigt, um höchste Qualität und Konsistenz zu gewährleisten. Es zeichnet sich durch eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit für eine effiziente Wärmeableitung aus und eignet sich daher ideal für Hochleistungsanwendungen wie Wechselrichter, Dioden und Transistoren. Darüber hinaus gewährleistet die hohe Durchbruchspannung dieses Substrats, dass es anspruchsvollen Bedingungen standhält und eine robuste Plattform für Hochleistungselektronik bietet.
Semicera ist sich der entscheidenden Rolle bewusst, die das leitfähige 8-Zoll-N-Typ-SiC-Substrat bei der Weiterentwicklung der Halbleitertechnologie spielt. Unsere Substrate werden mit modernsten Verfahren hergestellt, um eine minimale Defektdichte zu gewährleisten, was für die Entwicklung effizienter Geräte von entscheidender Bedeutung ist. Diese Liebe zum Detail ermöglicht Produkte, die die Produktion von Elektronik der nächsten Generation mit höherer Leistung und Haltbarkeit unterstützen.
Unser leitfähiges 8-Zoll-N-Typ-SiC-Substrat ist auch für die Anforderungen einer breiten Palette von Anwendungen konzipiert, von der Automobilindustrie bis hin zu erneuerbaren Energien. Die n-Typ-Leitfähigkeit bietet die elektrischen Eigenschaften, die für die Entwicklung effizienter Leistungsgeräte erforderlich sind, und macht dieses Substrat zu einer Schlüsselkomponente beim Übergang zu energieeffizienteren Technologien.
Bei Semicera ist es uns ein Anliegen, Substrate bereitzustellen, die Innovationen in der Halbleiterfertigung vorantreiben. Das leitfähige 8-Zoll-n-Typ-SiC-Substrat ist ein Beweis für unser Engagement für Qualität und Exzellenz und stellt sicher, dass unsere Kunden das bestmögliche Material für ihre Anwendungen erhalten.
Grundparameter
| Größe | 8 Zoll |
| Durchmesser | 200,0 mm + 0 mm/-0,2 mm |
| Oberflächenausrichtung | außeraxial: 4° in Richtung <1120> 士 0,5° |
| Kerbenausrichtung | <1100>士1° |
| Kerbwinkel | 90°+5°/-1° |
| Kerbtiefe | 1mm+0,25mm/-0mm |
| Zweitwohnung | / |
| Dicke | 500,0 ± 25,0 um/350,0 ± 25,0 um |
| Polytypie | 4H |
| Leitfähiger Typ | n-Typ |
