Der 6-Zoll-N-Typ-SiC-Wafer von Semicera steht an der Spitze der Halbleitertechnologie. Dieser auf optimale Leistung ausgelegte Wafer eignet sich hervorragend für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen, die für fortschrittliche elektronische Geräte unerlässlich sind.
Unser 6-Zoll-SiC-Wafer vom N-Typ zeichnet sich durch eine hohe Elektronenmobilität und einen niedrigen Einschaltwiderstand aus, was kritische Parameter für Leistungsgeräte wie MOSFETs, Dioden und andere Komponenten sind. Diese Eigenschaften sorgen für eine effiziente Energieumwandlung und eine reduzierte Wärmeentwicklung und verbessern so die Leistung und Lebensdauer elektronischer Systeme.
Die strengen Qualitätskontrollprozesse von Semicera stellen sicher, dass jeder SiC-Wafer eine hervorragende Oberflächenebenheit und minimale Fehler aufweist. Diese akribische Liebe zum Detail stellt sicher, dass unsere Wafer die strengen Anforderungen von Branchen wie Automobil, Luft- und Raumfahrt und Telekommunikation erfüllen.
Zusätzlich zu seinen überlegenen elektrischen Eigenschaften bietet der N-Typ-SiC-Wafer eine robuste thermische Stabilität und Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen, was ihn ideal für Umgebungen macht, in denen herkömmliche Materialien versagen könnten. Diese Fähigkeit ist besonders wertvoll bei Anwendungen mit Hochfrequenz- und Hochleistungsbetrieb.
Wenn Sie sich für den 6-Zoll-N-Typ-SiC-Wafer von Semicera entscheiden, investieren Sie in ein Produkt, das den Höhepunkt der Halbleiterinnovation darstellt. Wir sind bestrebt, die Bausteine für modernste Geräte bereitzustellen und sicherzustellen, dass unsere Partner in verschiedenen Branchen Zugang zu den besten Materialien für ihre technologischen Fortschritte haben.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
