Die hochreinen, halbisolierenden SiC-Ingots von Semicera mit einer Größe von 4 Zoll und 6 Zoll sind so konzipiert, dass sie den anspruchsvollen Standards der Halbleiterindustrie entsprechen. Bei der Herstellung dieser Barren liegt der Schwerpunkt auf Reinheit und Konsistenz, was sie zur idealen Wahl für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen macht, bei denen die Leistung im Vordergrund steht.
Die einzigartigen Eigenschaften dieser SiC-Ingots, darunter eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ein ausgezeichneter elektrischer Widerstand, machen sie besonders für den Einsatz in Leistungselektronik und Mikrowellengeräten geeignet. Ihre halbisolierende Beschaffenheit ermöglicht eine effektive Wärmeableitung und minimale elektrische Störungen, was zu effizienteren und zuverlässigeren Komponenten führt.
Semicera setzt modernste Fertigungsverfahren ein, um Barren mit außergewöhnlicher Kristallqualität und Gleichmäßigkeit herzustellen. Diese Präzision stellt sicher, dass jeder Barren zuverlässig in sensiblen Anwendungen wie Hochfrequenzverstärkern, Laserdioden und anderen optoelektronischen Geräten eingesetzt werden kann.
Die SiC-Ingots von Semicera sind in den Größen 4 Zoll und 6 Zoll erhältlich und bieten die Flexibilität, die für verschiedene Produktionsmaßstäbe und technologische Anforderungen erforderlich ist. Ob für Forschung und Entwicklung oder Massenproduktion, diese Barren liefern die Leistung und Haltbarkeit, die moderne elektronische Systeme erfordern.
Wenn Sie sich für die hochreinen halbisolierenden SiC-Ingots von Semicera entscheiden, investieren Sie in ein Produkt, das fortschrittliche Materialwissenschaft mit beispielloser Fertigungskompetenz verbindet. Semicera widmet sich der Unterstützung der Innovation und des Wachstums der Halbleiterindustrie und bietet Materialien an, die die Entwicklung modernster elektronischer Geräte ermöglichen.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
