Die 3C-SiC-Wafersubstrate von Semicera wurden entwickelt, um eine robuste Plattform für Leistungselektronik und Hochfrequenzgeräte der nächsten Generation zu bieten. Mit hervorragenden thermischen und elektrischen Eigenschaften sind diese Substrate so konzipiert, dass sie den anspruchsvollen Anforderungen moderner Technologie gerecht werden.
Die 3C-SiC-Struktur (kubisches Siliziumkarbid) der Semicera-Wafersubstrate bietet einzigartige Vorteile, darunter eine höhere Wärmeleitfähigkeit und einen niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizienten im Vergleich zu anderen Halbleitermaterialien. Dies macht sie zu einer hervorragenden Wahl für Geräte, die unter extremen Temperaturen und hohen Leistungsbedingungen betrieben werden.
Mit einer hohen elektrischen Durchbruchspannung und überlegener chemischer Stabilität gewährleisten Semicera 3C-SiC-Wafersubstrate lang anhaltende Leistung und Zuverlässigkeit. Diese Eigenschaften sind entscheidend für Anwendungen wie Hochfrequenzradar, Halbleiterbeleuchtung und Wechselrichter, bei denen Effizienz und Haltbarkeit von größter Bedeutung sind.
Semiceras Engagement für Qualität spiegelt sich im sorgfältigen Herstellungsprozess seiner 3C-SiC-Wafersubstrate wider, der Gleichmäßigkeit und Konsistenz bei jeder Charge gewährleistet. Diese Präzision trägt zur Gesamtleistung und Langlebigkeit der darauf aufgebauten elektronischen Geräte bei.
Durch die Wahl von Semicera 3C-SiC-Wafersubstraten erhalten Hersteller Zugang zu einem hochmodernen Material, das die Entwicklung kleinerer, schnellerer und effizienterer elektronischer Komponenten ermöglicht. Semicera unterstützt weiterhin technologische Innovationen durch die Bereitstellung zuverlässiger Lösungen, die den sich verändernden Anforderungen der Halbleiterindustrie gerecht werden.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
