Semiceraist stolz, das zu präsentieren30 mm Aluminiumnitrid-Wafer-Substrat, ein erstklassiges Material, das den strengen Anforderungen moderner elektronischer und optoelektronischer Anwendungen gerecht wird. Aluminiumnitrid (AlN)-Substrate sind für ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit und elektrischen Isolationseigenschaften bekannt, was sie zur idealen Wahl für Hochleistungsgeräte macht.
Hauptmerkmale:
• Außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit: Der30 mm Aluminiumnitrid-Wafer-Substratverfügt über eine Wärmeleitfähigkeit von bis zu 170 W/mK, die deutlich höher ist als bei anderen Substratmaterialien und sorgt für eine effiziente Wärmeableitung bei Hochleistungsanwendungen.
•Hohe elektrische Isolierung: Mit hervorragenden elektrischen Isoliereigenschaften minimiert dieses Substrat Übersprechen und Signalstörungen und ist somit ideal für HF- und Mikrowellenanwendungen.
•Mechanische Festigkeit: Der30 mm Aluminiumnitrid-Wafer-Substratbietet überragende mechanische Festigkeit und Stabilität und gewährleistet Haltbarkeit und Zuverlässigkeit auch unter schwierigen Betriebsbedingungen.
•Vielseitige Anwendungen: Dieses Substrat eignet sich perfekt für den Einsatz in Hochleistungs-LEDs, Laserdioden und HF-Komponenten und bietet eine robuste und zuverlässige Grundlage für Ihre anspruchsvollsten Projekte.
•Präzisionsfertigung: Semicera stellt sicher, dass jedes Wafer-Substrat mit höchster Präzision hergestellt wird und eine gleichmäßige Dicke und Oberflächenqualität bietet, um den anspruchsvollen Standards fortschrittlicher elektronischer Geräte gerecht zu werden.
Maximieren Sie die Effizienz und Zuverlässigkeit Ihrer Geräte mit Semicera30 mm Aluminiumnitrid-Wafer-Substrat. Unsere Substrate sind auf höchste Leistung ausgelegt und stellen sicher, dass Ihre elektronischen und optoelektronischen Systeme optimal funktionieren. Vertrauen Sie Semicera, wenn es um modernste Materialien geht, die in Qualität und Innovation branchenführend sind.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
