2~6 Zoll 4° Off-Winkel P-Typ 4H-SiC-Substrat

Die 2 bis 6 Zoll großen 4H-SiC-Substrate vom P-Typ mit 4°-Winkel wurden entwickelt, um den wachsenden Anforderungen von Herstellern von Hochleistungs-Leistungs- und HF-Geräten gerecht zu werden. Die um 4° abweichende Ausrichtung gewährleistet ein optimiertes epitaktisches Wachstum und macht dieses Substrat zu einer idealen Grundlage für eine Reihe von Halbleiterbauelementen, einschließlich MOSFETs, IGBTs und Dioden.

Dieses 2 bis 6 Zoll große 4H-SiC-Substrat vom P-Typ mit einem Winkel von 4° verfügt über hervorragende Materialeigenschaften, einschließlich hoher Wärmeleitfähigkeit, ausgezeichneter elektrischer Leistung und hervorragender mechanischer Stabilität. Die schräge Ausrichtung trägt dazu bei, die Mikroröhrendichte zu reduzieren und glattere Epitaxieschichten zu fördern, was für die Verbesserung der Leistung und Zuverlässigkeit des endgültigen Halbleiterbauelements von entscheidender Bedeutung ist.

Semiceras 2~6 Zoll 4° Off-Winkel P-Typ 4H-SiC-Substrate sind in verschiedenen Durchmessern von 2 Zoll bis 6 Zoll erhältlich, um unterschiedlichen Fertigungsanforderungen gerecht zu werden. Unsere Substrate sind präzise konstruiert, um gleichmäßige Dotierungsniveaus und hochwertige Oberflächeneigenschaften zu gewährleisten und sicherzustellen, dass jeder Wafer die strengen Spezifikationen erfüllt, die für fortschrittliche elektronische Anwendungen erforderlich sind.

Semiceras Engagement für Innovation und Qualität stellt sicher, dass unsere 2–6 Zoll großen 4°-Off-Winkel-P-Typ-4H-SiC-Substrate eine konstante Leistung in einem breiten Anwendungsspektrum von der Leistungselektronik bis hin zu Hochfrequenzgeräten liefern. Dieses Produkt bietet eine zuverlässige Lösung für die nächste Generation energieeffizienter Hochleistungshalbleiter und unterstützt technologische Fortschritte in Branchen wie Automobil, Telekommunikation und erneuerbare Energien.