Semiceras10 x 10 mm unpolares M-Ebenen-Aluminiumsubstratwurde sorgfältig entwickelt, um den anspruchsvollen Anforderungen fortschrittlicher optoelektronischer Anwendungen gerecht zu werden. Dieses Substrat verfügt über eine unpolare M-Ebenen-Ausrichtung, die für die Reduzierung von Polarisationseffekten in Geräten wie LEDs und Laserdioden von entscheidender Bedeutung ist und zu einer verbesserten Leistung und Effizienz führt.
Der10 x 10 mm unpolares M-Ebenen-Aluminiumsubstratist mit außergewöhnlicher kristalliner Qualität gefertigt und gewährleistet minimale Defektdichten und hervorragende strukturelle Integrität. Dies macht es zur idealen Wahl für das epitaktische Wachstum hochwertiger III-Nitridfilme, die für die Entwicklung optoelektronischer Geräte der nächsten Generation unerlässlich sind.
Die Präzisionstechnik von Semicera stellt sicher, dass jeder10 x 10 mm unpolares M-Ebenen-Aluminiumsubstratbietet eine gleichmäßige Dicke und Oberflächenebenheit, die für eine gleichmäßige Filmabscheidung und Geräteherstellung von entscheidender Bedeutung sind. Darüber hinaus eignet sich das Substrat aufgrund seiner kompakten Größe sowohl für Forschungs- als auch für Produktionsumgebungen und ermöglicht einen flexiblen Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Mit seiner hervorragenden thermischen und chemischen Stabilität bietet dieses Substrat eine zuverlässige Grundlage für die Entwicklung modernster optoelektronischer Technologien.
| Artikel | Produktion | Forschung | Dummy |
| Kristallparameter | |||
| Polytypie | 4H | ||
| Fehler bei der Oberflächenausrichtung | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektrische Parameter | |||
| Dotierstoff | Stickstoff vom n-Typ | ||
| Widerstand | 0,015–0,025 Ohm·cm | ||
| Mechanische Parameter | |||
| Durchmesser | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Dicke | 350 ± 25 μm | ||
| Primäre flache Ausrichtung | [1-100]±5° | ||
| Primäre flache Länge | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Zweitwohnung | Keiner | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5 mm * 5 mm) | ≤5 μm (5 mm * 5 mm) | ≤10 μm (5 mm * 5 mm) |
| Bogen | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Kette | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Struktur | |||
| Mikrorohrdichte | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Metallverunreinigungen | ≤5E10Atome/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Vordere Qualität | |||
| Front | Si | ||
| Oberflächenbeschaffenheit | Si-Face-CMP | ||
| Partikel | ≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm) | NA | |
| Kratzer | ≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser | Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser | NA |
| Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung | Keiner | NA | |
| Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten | Keiner | ||
| Polytypiebereiche | Keiner | Kumulierte Fläche ≤ 20 % | Kumulierte Fläche ≤ 30 % |
| Lasermarkierung vorne | Keiner | ||
| Zurück Qualität | |||
| Hinterer Abschluss | C-Gesichts-CMP | ||
| Kratzer | ≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser | NA | |
| Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen) | Keiner | ||
| Rückenrauheit | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Lasermarkierung auf der Rückseite | 1 mm (ab Oberkante) | ||
| Rand | |||
| Rand | Fase | ||
| Verpackung | |||
| Verpackung | Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten | ||
| *Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD. | |||
