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Halbleiter-MOCVD-Substratheizung, MOCVD-Heizung ...
Langlebige SIC-beschichtete Graphitheizung für MOCVD K465i...
Mit Siliziumkarbid beschichtete Epitaxieplatte
Hochreiner Siliziumkarbid-Schleif-Innenzylinder-De...
Verschleißfeste Siliziumkarbid-Schleiftrommel aus Keramik ...
Hohe Temperaturbeständigkeit, Verschleißfestigkeit, hohe Härte.
Isostatisches Pressverfahren Siliziumkarbid-Schleifen ...
SiC-beschichteter Graphitträger mit langer Lebensdauer für ...

Halbleiter-Photovoltaikfeld

Langlebiger SIC-beschichteter Graphitheizer für MOCVD K465i, Graphitheizer für die Epitaxie
Hochtemperaturbeständige, verschleißfeste Siliziumkarbid-Schleiftrommel mit hoher Härte kann individuell angepasst werden
Hochreines Siliziumkarbid, innere Trommeldichte, geringes Gewicht
Spiegel SIC-Spiegel Siliziumkarbid-Keramikspiegel Siliziumkarbid-Keramikstruktur
RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger

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