Als eine der Kernkomponenten vonMOCVD-Ausrüstung, Graphitbasis ist der Träger- und Heizkörper des Substrats, der direkt die Gleichmäßigkeit und Reinheit des Filmmaterials bestimmt, sodass sich seine Qualität direkt auf die Vorbereitung der Epitaxiefolie auswirkt und gleichzeitig die Anzahl erhöht Verwendung und wechselnde Arbeitsbedingungen, es ist sehr leicht zu tragen und gehört zu den Verbrauchsmaterialien.
Obwohl Graphit eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und Stabilität aufweist, hat es als Grundbestandteil von gute VorteileMOCVD-Ausrüstung, aber im Produktionsprozess korrodiert Graphit das Pulver aufgrund der Rückstände korrosiver Gase und metallischer organischer Stoffe und die Lebensdauer der Graphitbasis wird stark verkürzt.Gleichzeitig führt das herabfallende Graphitpulver zu einer Verschmutzung des Spans.
Das Aufkommen der Beschichtungstechnologie kann eine Oberflächenfixierung des Pulvers ermöglichen, die Wärmeleitfähigkeit verbessern und die Wärmeverteilung ausgleichen, was zur Haupttechnologie zur Lösung dieses Problems geworden ist.Graphitbasis inMOCVD-AusrüstungIn der Einsatzumgebung sollte die Oberflächenbeschichtung auf Graphitbasis die folgenden Eigenschaften erfüllen:
(1) Die Graphitbasis kann vollständig umwickelt werden und die Dichte ist gut, andernfalls kann die Graphitbasis im korrosiven Gas leicht korrodieren.
(2) Die Kombinationsfestigkeit mit der Graphitbasis ist hoch, um sicherzustellen, dass die Beschichtung nach mehreren Hochtemperatur- und Niedertemperaturzyklen nicht leicht abfällt.
(3) Es verfügt über eine gute chemische Stabilität, um ein Versagen der Beschichtung bei hohen Temperaturen und korrosiver Atmosphäre zu vermeiden.
SiC hat die Vorteile von Korrosionsbeständigkeit, hoher Wärmeleitfähigkeit, Wärmeschockbeständigkeit und hoher chemischer Stabilität und kann gut in einer epitaktischen GaN-Atmosphäre funktionieren.Darüber hinaus unterscheidet sich der Wärmeausdehnungskoeffizient von SiC kaum von dem von Graphit, sodass SiC das bevorzugte Material für die Oberflächenbeschichtung auf Graphitbasis ist.
Derzeit ist SiC hauptsächlich vom Typ 3C, 4H und 6H verbreitet, und die SiC-Verwendung verschiedener Kristalltypen ist unterschiedlich.Mit 4H-SiC können beispielsweise Hochleistungsgeräte hergestellt werden.6H-SiC ist am stabilsten und kann zur Herstellung fotoelektrischer Geräte verwendet werden.Aufgrund seiner ähnlichen Struktur wie GaN kann 3C-SiC zur Herstellung einer GaN-Epitaxieschicht und zur Herstellung von SiC-GaN-HF-Geräten verwendet werden.3C-SiC ist auch allgemein bekannt alsβ-SiC und eine wichtige Verwendung vonβ-SiC wird als Film- und Beschichtungsmaterial verwendetβ-SiC ist derzeit das Hauptmaterial für Beschichtungen.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 06.11.2023