Im Jahr 1905 fand der Mensch Siliziumkarbid in einem Meteoriten, der heute hauptsächlich aus synthetischem Material besteht. Jiangsu-Siliziumkarbid hat viele Verwendungsmöglichkeiten, die Industriespanne ist groß und kann für monokristallines Silizium, Polysilizium, Kaliumarsenid, Quarzkristalle, Solar-Photovoltaik-Industrie, Halbleiterindustrie usw. verwendet werden. Verarbeitungsmaterialien für die piezoelektrische Kristallindustrie.
Die Halbleitermaterialien der dritten Generation zeichnen sich durch hervorragende Eigenschaften aus und die zukünftigen Anwendungsaussichten sind sehr breit.Die Forschung und Entwicklung von Siliziumkarbid-Chips in China befindet sich noch im Anfangsstadium, die Anwendung von Siliziumkarbid-Chips im Meer ist geringer, der Entwicklung der Siliziumkarbid-Materialindustrie mangelt es an der Unterstützung nachgelagerter Anwendungsunternehmen.Bei der Verwendung als Verstärkungsmaterial wird es häufig zusammen mit Kohle- oder Glasfasern verwendet, hauptsächlich mit verstärkten Metallen (z. B. Aluminium) und Keramik, wie z. B. Bremsbelägen für Düsenflugzeuge, Triebwerksblättern, Fahrwerkskästen und Rumpfstrukturmaterialien usw. kann auch als Sportartikel verwendet werden, und seine kurzen Fasern können als Hochtemperaturofenmaterialien verwendet werden.
Das grobe Siliziumkarbidmaterial wurde in großen Mengen geliefert, aber die Anwendung von nanoskaligem Siliziumkarbidpulver mit sehr hohem technischen Inhalt kann in kurzer Zeit keine Skaleneffekte erzielen.Siliziumkarbidmaterialien könnten einen Durchbruch bei der Anwendung von Photovoltaik-Wechselrichtern bringen.Bei der dritten Generation von Halbleitermaterialien handelt es sich um Halbleitermaterialien mit breiter Bandlücke, auch bekannt als Hochtemperatur-Halbleitermaterialien, zu denen hauptsächlich Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Aluminiumnitrid, Zinkoxid, Diamant usw. gehören.
Im Bereich Photovoltaik-Anwendungen
Der Photovoltaik-Wechselrichter ist für die Photovoltaik-Stromerzeugung sehr wichtig. Er verfügt nicht nur über die direkte Wechselstromumwandlungsfunktion, sondern hat auch weitgehend die Funktion der Solarzellenfunktion und die Systemfehlerschutzfunktion.Es verfügt über eine automatische Betriebs- und Abschaltfunktion, eine Hochleistungs-Tracking-Steuerungsfunktion, eine Anti-Trennungs-Betriebsfunktion (für netzgekoppelte Systeme), eine automatische Spannungsanpassungsfunktion (für netzgekoppelte Systeme) und eine DC-Erkennungsfunktion (für netzgekoppelte Systeme). , DC-Erdungserkennungsfunktion (für netzgekoppelte Systeme) usw.
Anwendungen im Bereich Luftfahrt
Siliziumkarbid wird zu Siliziumkarbidfasern verarbeitet. Siliziumkarbidfasern werden hauptsächlich als hochtemperaturbeständige Materialien und Verstärkungsmaterialien verwendet. Hochtemperaturbeständige Materialien umfassen Hitzeschutzmaterialien, hochtemperaturbeständige Förderbänder und Filtertücher für Hochtemperaturgas oder geschmolzenes Metall.Diese Art von Material weist eine große Bandlücke (Bandlückenbreite größer als 2,2 ev), eine hohe Wärmeleitfähigkeit, ein hohes elektrisches Durchbruchfeld, eine hohe Strahlungsbeständigkeit, eine hohe Elektronensättigungsrate und andere Eigenschaften auf und ist für hohe Temperaturen, hohe Frequenz und Strahlungsbeständigkeit geeignet und Produktion von Hochleistungsgeräten.Entwickeln Sie eine enge und enge Zusammenarbeit bei der Personalschulung sowie der Technologieforschung und -entwicklung.Stärkung der Kommunikation zwischen Unternehmen, insbesondere aktive Teilnahme am internationalen Austausch, Förderung des Entwicklungsniveaus von Unternehmen;Achten Sie auf den Aufbau der Unternehmensmarke und streben Sie danach, die ersten Produkte des Unternehmens zu entwickeln.
Der Einsatz neuer Technologien und neuer Geräte durch inländische Wechselrichterhersteller ist immer noch zu gering, und Wechselrichter mit Siliziumkarbid als Leistungsgerät werden zunehmend in großen Mengen eingesetzt.Der Innenwiderstand von Siliziumkarbid ist sehr gering und der Wirkungsgrad kann sehr hoch sein, die Schaltfrequenz kann 10 K erreichen und auch LC-Filter und Buskondensatoren können eingespart werden.
Anwendungen im Halbleiterbereich
Es wird erwartet, dass eindimensionale Siliziumkarbid-Nanomaterialien aufgrund ihrer mikroskopischen Morphologie und Kristallstruktur, die ihnen einzigartigere hervorragende Funktionen und umfassendere Anwendungsaussichten verleihen, ein wichtiger Bestandteil der dritten Generation von Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke sein werden.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 24. Juli 2023