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Wichtigstes Kernmaterial für das SiC-Wachstum: Tantalcarbid-Beschichtung
Derzeit wird die dritte Halbleitergeneration von Siliziumkarbid dominiert. In der Kostenstruktur seiner Geräte entfallen 47 % auf das Substrat und 23 % auf die Epitaxie. Die beiden machen zusammen etwa 70 % aus, was den wichtigsten Teil der Herstellung von Siliziumkarbid-Geräten darstellt.Mehr lesen -
Wie verbessern mit Tantalkarbid beschichtete Produkte die Korrosionsbeständigkeit von Materialien?
Die Tantalkarbidbeschichtung ist eine häufig verwendete Oberflächenbehandlungstechnologie, die die Korrosionsbeständigkeit von Materialien erheblich verbessern kann. Eine Tantalcarbid-Beschichtung kann durch verschiedene Vorbereitungsmethoden, wie chemische Gasphasenabscheidung, physikalische..., auf der Oberfläche des Substrats angebracht werden.Mehr lesen -
Gestern gab das Science and Technology Innovation Board bekannt, dass Huazhuo Precision Technology seinen Börsengang beendet hat!
Habe gerade die Lieferung der ersten 8-Zoll-SIC-Laserglühanlage in China angekündigt, bei der es sich ebenfalls um die Technologie von Tsinghua handelt; Warum haben sie die Materialien selbst zurückgezogen? Nur ein paar Worte: Erstens sind die Produkte zu vielfältig! Auf den ersten Blick weiß ich nicht, was sie tun. Derzeit ist H...Mehr lesen -
CVD-Siliziumkarbidbeschichtung-2
CVD-Siliziumkarbid-Beschichtung 1. Warum gibt es eine Siliziumkarbid-Beschichtung? Die Epitaxieschicht ist ein spezifischer einkristalliner Dünnfilm, der durch den Epitaxieprozess auf der Basis des Wafers gewachsen wird. Der Substratwafer und der epitaktische Dünnfilm werden zusammenfassend als Epitaxiewafer bezeichnet. Unter ihnen sind die...Mehr lesen -
Vorbereitungsprozess der SIC-Beschichtung
Derzeit umfassen die Vorbereitungsmethoden für die SiC-Beschichtung hauptsächlich das Gel-Sol-Verfahren, das Einbettverfahren, das Bürstenbeschichtungsverfahren, das Plasmaspritzverfahren, das chemische Dampfreaktionsverfahren (CVR) und das chemische Dampfabscheidungsverfahren (CVD). Einbettungsmethode Bei dieser Methode handelt es sich um eine Art Hochtemperatur-Festphasenverfahren...Mehr lesen -
CVD-Siliziumkarbidbeschichtung-1
Was ist CVD SiC? Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist ein Vakuumabscheidungsverfahren zur Herstellung hochreiner Feststoffmaterialien. Dieses Verfahren wird häufig in der Halbleiterfertigung eingesetzt, um dünne Filme auf der Oberfläche von Wafern zu bilden. Bei der Herstellung von SiC durch CVD wird das Substrat exp...Mehr lesen -
Analyse der Versetzungsstruktur im SiC-Kristall durch Raytracing-Simulation, unterstützt durch röntgentopologische Bildgebung
Forschungshintergrund Anwendungsbedeutung von Siliziumkarbid (SiC): Als Halbleitermaterial mit großer Bandlücke hat Siliziumkarbid aufgrund seiner hervorragenden elektrischen Eigenschaften (wie größere Bandlücke, höhere Elektronensättigungsgeschwindigkeit und Wärmeleitfähigkeit) große Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Diese Requisiten...Mehr lesen -
Verfahren zur Herstellung von Impfkristallen bei der SiC-Einkristallzüchtung 3
Wachstumsüberprüfung: Die Impfkristalle aus Siliziumkarbid (SiC) wurden nach dem beschriebenen Verfahren hergestellt und durch SiC-Kristallwachstum validiert. Als Wachstumsplattform wurde ein selbst entwickelter SiC-Induktionswachstumsofen mit einer Wachstumstemperatur von 2200℃, einem Wachstumsdruck von 200 Pa und einer Wachstumsgeschwindigkeit verwendet.Mehr lesen -
Impfkristall-Vorbereitungsprozess bei der SiC-Einkristallzüchtung (Teil 2)
2. Experimenteller Prozess 2.1 Aushärtung des Klebefilms Es wurde beobachtet, dass die direkte Erzeugung eines Kohlenstofffilms oder die Verbindung mit Graphitpapier auf mit Klebstoff beschichteten SiC-Wafern zu mehreren Problemen führte: 1. Unter Vakuumbedingungen entwickelte der Klebefilm auf SiC-Wafern ein schuppenartiges Aussehen unterschreiben...Mehr lesen -
Verfahren zur Herstellung von Impfkristallen bei der Züchtung von SiC-Einkristallen
Siliziumkarbid (SiC)-Material hat die Vorteile einer großen Bandlücke, einer hohen Wärmeleitfähigkeit, einer hohen kritischen Durchbruchsfeldstärke und einer hohen Geschwindigkeit der gesättigten Elektronendrift, was es für den Einsatz in der Halbleiterfertigung äußerst vielversprechend macht. SiC-Einkristalle werden im Allgemeinen durch ... hergestellt.Mehr lesen -
Welche Methoden gibt es zum Polieren von Wafern?
Von allen Prozessen, die zur Herstellung eines Chips erforderlich sind, besteht das endgültige Schicksal des Wafers darin, in einzelne Chips geschnitten und in kleine, geschlossene Schachteln verpackt zu werden, wobei nur wenige Stifte freiliegen. Der Chip wird anhand seiner Schwellen-, Widerstands-, Strom- und Spannungswerte bewertet, aber niemand wird darüber nachdenken ...Mehr lesen -
Die grundlegende Einführung des epitaktischen Wachstumsprozesses von SiC
Die Epitaxieschicht ist ein spezifischer Einkristallfilm, der durch einen Epitaxieprozess auf dem Wafer gezüchtet wird, und der Substratwafer und der Epitaxiefilm werden Epitaxiewafer genannt. Durch das Aufwachsen der Siliziumkarbid-Epitaxieschicht auf dem leitfähigen Siliziumkarbidsubstrat entsteht die homogene Siliziumkarbid-Epitaxie...Mehr lesen