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Die thermische Stabilität von Quarzkomponenten in der Halbleiterindustrie
Einleitung In der Halbleiterindustrie ist die thermische Stabilität von größter Bedeutung, um den zuverlässigen und effizienten Betrieb kritischer Komponenten sicherzustellen. Quarz, eine kristalline Form von Siliziumdioxid (SiO2), hat aufgrund seiner außergewöhnlichen thermischen Stabilitätseigenschaften große Anerkennung gefunden. T...Mehr lesen -
Korrosionsbeständigkeit von Tantalcarbid-Beschichtungen in der Halbleiterindustrie
Titel: Korrosionsbeständigkeit von Tantalcarbid-Beschichtungen in der Halbleiterindustrie Einführung In der Halbleiterindustrie stellt Korrosion eine erhebliche Herausforderung für die Langlebigkeit und Leistung kritischer Komponenten dar. Tantalcarbid (TaC)-Beschichtungen haben sich als vielversprechende Lösung herausgestellt ...Mehr lesen -
Wie misst man den Schichtwiderstand einer dünnen Schicht?
Alle in der Halbleiterherstellung verwendeten Dünnfilme weisen einen Widerstand auf, und der Filmwiderstand hat einen direkten Einfluss auf die Leistung des Geräts. Normalerweise messen wir nicht den absoluten Widerstand der Folie, sondern verwenden zur Charakterisierung den Schichtwiderstand. Was sind Schichtwiderstand und Volumenwiderstand?Mehr lesen -
Kann die Anwendung einer CVD-Siliziumkarbidbeschichtung die Lebensdauer von Bauteilen effektiv verbessern?
Die CVD-Siliziumkarbidbeschichtung ist eine Technologie, die einen dünnen Film auf der Oberfläche von Bauteilen bildet, wodurch die Bauteile eine bessere Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Hochtemperaturbeständigkeit und andere Eigenschaften aufweisen können. Aufgrund dieser hervorragenden Eigenschaften sind CVD-Siliziumkarbidbeschichtungen weit verbreitet.Mehr lesen -
Haben CVD-Siliziumkarbid-Beschichtungen hervorragende Dämpfungseigenschaften?
Ja, CVD-Siliziumkarbid-Beschichtungen haben hervorragende Dämpfungseigenschaften. Unter Dämpfung versteht man die Fähigkeit eines Objekts, Energie abzuleiten und die Schwingungsamplitude zu reduzieren, wenn es Vibrationen oder Stößen ausgesetzt wird. In vielen Anwendungen sind Dämpfungseigenschaften sehr wichtig...Mehr lesen -
Siliziumkarbid-Halbleiter: eine umweltfreundliche und effiziente Zukunft
Im Bereich der Halbleitermaterialien hat sich Siliziumkarbid (SiC) als vielversprechender Kandidat für die nächste Generation effizienter und umweltfreundlicher Halbleiter erwiesen. Mit ihren einzigartigen Eigenschaften und ihrem Potenzial ebnen Siliziumkarbid-Halbleiter den Weg für eine nachhaltigere...Mehr lesen -
Anwendungsaussichten von Siliziumkarbid-Waferbooten im Halbleiterbereich
Im Halbleiterbereich ist die Materialauswahl entscheidend für die Geräteleistung und die Prozessentwicklung. In den letzten Jahren haben Siliziumkarbid-Wafer als aufstrebendes Material große Aufmerksamkeit erregt und großes Potenzial für die Anwendung im Halbleiterbereich gezeigt. Silikon...Mehr lesen -
Anwendungsaussichten von Siliziumkarbidkeramik im Bereich der photovoltaischen Solarenergie
Da die weltweite Nachfrage nach erneuerbaren Energien in den letzten Jahren gestiegen ist, hat die Photovoltaik-Solarenergie als saubere, nachhaltige Energieoption immer mehr an Bedeutung gewonnen. Bei der Entwicklung der Photovoltaik-Technologie spielen die Materialwissenschaften eine entscheidende Rolle. Darunter Siliziumkarbidkeramik, eine...Mehr lesen -
Herstellungsverfahren für übliche TaC-beschichtete Graphitteile
PART/1CVD-Methode (Chemical Vapour Deposition): Bei 900–2300 °C, unter Verwendung von TaCl5 und CnHm als Tantal- und Kohlenstoffquellen, H₂ als reduzierende Atmosphäre, Ar₂ als Trägergas, Reaktionsabscheidungsfilm. Die vorbereitete Beschichtung ist kompakt, gleichmäßig und von hoher Reinheit. Allerdings gibt es einige Probleme...Mehr lesen -
Anwendung von TaC-beschichteten Graphitteilen
TEIL/1 Tiegel, Impfkristallhalter und Führungsring im SiC- und AIN-Einkristallofen wurden mit der PVT-Methode gezüchtet. Wie in Abbildung 2 [1] gezeigt, befindet sich der Impfkristall, wenn zur Herstellung von SiC die physikalische Dampftransportmethode (PVT) verwendet wird der relativ niedrige Temperaturbereich, der SiC r...Mehr lesen -
Struktur und Wachstumstechnologie von Siliziumkarbid (Ⅱ)
Viertens: Physikalische Dampftransportmethode Die physikalische Dampftransportmethode (PVT) hat ihren Ursprung in der 1955 von Lely erfundenen Dampfphasensublimationstechnologie. Das SiC-Pulver wird in ein Graphitrohr gegeben und auf hohe Temperatur erhitzt, um das SiC-Pulver zu zersetzen und zu sublimieren.Mehr lesen -
Struktur und Wachstumstechnologie von Siliziumkarbid (Ⅰ)
Erstens die Struktur und Eigenschaften des SiC-Kristalls. SiC ist eine binäre Verbindung, die aus Si-Element und C-Element im Verhältnis 1:1 besteht, d. h. 50 % Silizium (Si) und 50 % Kohlenstoff (C), und ihre Grundstruktureinheit ist das SI-C-Tetraeder. Schematische Darstellung eines Siliziumkarbid-Tetraeders...Mehr lesen