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Forschung und Analyse des Halbleiterverpackungsprozesses
Überblick über den HalbleiterprozessDer Halbleiterprozess umfasst in erster Linie die Anwendung von Mikrofertigungs- und Filmtechnologien, um Chips und andere Elemente in verschiedenen Bereichen, wie z. B. Substraten und Rahmen, vollständig zu verbinden. Dies erleichtert das Herausziehen der Anschlussklemmen und das Verkapseln mit einem...Mehr lesen -
Neue Trends in der Halbleiterindustrie: Die Anwendung der Schutzbeschichtungstechnologie
Die Halbleiterindustrie erlebt ein beispielloses Wachstum, insbesondere im Bereich der Leistungselektronik aus Siliziumkarbid (SiC). Da viele große Waferfabriken gebaut oder erweitert werden, um der steigenden Nachfrage nach SiC-Bauelementen in Elektrofahrzeugen gerecht zu werden, ist dies ...Mehr lesen -
Was sind die Hauptschritte bei der Verarbeitung von SiC-Substraten?
Unsere Produktions- und Verarbeitungsschritte für SiC-Substrate sind wie folgt: 1. Kristallausrichtung: Verwendung von Röntgenbeugung zur Ausrichtung des Kristallbarrens. Wenn ein Röntgenstrahl auf die gewünschte Kristallfläche gerichtet wird, bestimmt der Winkel des gebeugten Strahls die Kristallorientierung...Mehr lesen -
Ein wichtiges Material, das die Qualität des Wachstums von einkristallinem Silizium bestimmt – das thermische Feld
Der Wachstumsprozess von einkristallinem Silizium erfolgt vollständig im thermischen Feld. Ein gutes Wärmefeld trägt zur Verbesserung der Kristallqualität bei und sorgt für eine hohe Kristallisationseffizienz. Die Gestaltung des Wärmefeldes bestimmt maßgeblich die Veränderungen und Veränderungen...Mehr lesen -
Was ist epitaktisches Wachstum?
Epitaxiales Wachstum ist eine Technologie, bei der eine Einkristallschicht auf einem Einkristallsubstrat (Substrat) mit der gleichen Kristallorientierung wie das Substrat gezüchtet wird, als ob sich der ursprüngliche Kristall nach außen ausgedehnt hätte. Diese neu gewachsene Einkristallschicht kann sich hinsichtlich der Zusammensetzung vom Substrat unterscheiden.Mehr lesen -
Was ist der Unterschied zwischen Substrat und Epitaxie?
Im Wafervorbereitungsprozess gibt es zwei Kernglieder: Zum einen die Vorbereitung des Substrats und zum anderen die Durchführung des Epitaxieprozesses. Das Substrat, ein sorgfältig aus Halbleiter-Einkristallmaterial gefertigter Wafer, kann direkt in die Wafer-Herstellung eingesetzt werden ...Mehr lesen -
Enthüllung der vielseitigen Eigenschaften von Graphitheizungen
Graphitheizgeräte haben sich aufgrund ihrer außergewöhnlichen Eigenschaften und Vielseitigkeit in verschiedenen Branchen zu unverzichtbaren Werkzeugen entwickelt. Von Laboren bis hin zu Industrieumgebungen spielen diese Heizgeräte eine zentrale Rolle in Prozessen, die von der Materialsynthese bis hin zu Analysetechniken reichen. Unter den verschiedenen ...Mehr lesen -
Ausführliche Erläuterung der Vor- und Nachteile des Trockenätzens und Nassätzens
In der Halbleiterfertigung gibt es eine Technik namens „Ätzen“, die während der Bearbeitung eines Substrats oder eines auf dem Substrat gebildeten dünnen Films erfolgt. Die Entwicklung der Ätztechnologie hat dazu beigetragen, die Vorhersage des Intel-Gründers Gordon Moore aus dem Jahr 1965 zu verwirklichen, dass „...Mehr lesen -
Enthüllung der hohen thermischen Effizienz und Sternstabilität von Siliziumkarbid-Heizgeräten
Heizgeräte aus Siliziumkarbid (SiC) stehen an der Spitze des Wärmemanagements in der Halbleiterindustrie. Dieser Artikel untersucht die außergewöhnliche thermische Effizienz und bemerkenswerte Stabilität von SiC-Heizungen und beleuchtet ihre entscheidende Rolle bei der Gewährleistung optimaler Leistung und Zuverlässigkeit in Halbleitern...Mehr lesen -
Erforschung der hohen Festigkeits- und Härteeigenschaften von Siliziumkarbid-Waferbooten
Waferboote aus Siliziumkarbid (SiC) spielen in der Halbleiterindustrie eine entscheidende Rolle und erleichtern die Produktion hochwertiger elektronischer Geräte. Dieser Artikel befasst sich mit den bemerkenswerten Eigenschaften von SiC-Wafer-Booten, konzentriert sich auf ihre außergewöhnliche Festigkeit und Härte und hebt ihre Bedeutung hervor...Mehr lesen -
Die hervorragende Leistung von Siliziumkarbid-Waferbooten beim Kristallwachstum
Kristallwachstumsprozesse sind das Herzstück der Halbleiterfertigung, bei der die Produktion hochwertiger Wafer von entscheidender Bedeutung ist. Ein integraler Bestandteil dieser Prozesse ist das Waferboot aus Siliziumkarbid (SiC). SiC-Wafer-Boote haben aufgrund ihrer außergewöhnlichen Eigenschaften in der Branche große Anerkennung gefunden.Mehr lesen -
Die bemerkenswerte Wärmeleitfähigkeit von Graphitheizungen in thermischen Feldern von Einkristallöfen
Im Bereich der Einkristall-Ofentechnologie sind Effizienz und Präzision des Wärmemanagements von größter Bedeutung. Das Erreichen einer optimalen Temperaturgleichmäßigkeit und -stabilität ist für die Züchtung hochwertiger Einkristalle von entscheidender Bedeutung. Um diese Herausforderungen zu bewältigen, haben sich Graphitheizgeräte als bemerkenswerte Lösung erwiesen ...Mehr lesen