SiC-Paddel in der Halbleiterfertigung

Im Bereich der Halbleiterfertigung ist dieSiC-Paddelspielt insbesondere im epitaktischen Wachstumsprozess eine entscheidende Rolle. Als Schlüsselkomponente verwendet inMOCVD(Metal Organic Chemical Vapour Deposition)-Systeme,SiC-Paddelsind so konstruiert, dass sie hohen Temperaturen und chemisch aggressiven Umgebungen standhalten, was sie für die moderne Fertigung unverzichtbar macht. Bei Semicera sind wir auf die Herstellung von Hochleistungsprodukten spezialisiertSiC-Paddelfür beides konzipiertSi-EpitaxieUndSiC-Epitaxieund bietet außergewöhnliche Haltbarkeit und thermische Stabilität.

Der Einsatz von SiC-Paddeln kommt besonders häufig bei Prozessen wie dem epitaktischen Wachstum zum Einsatz, bei denen das Substrat präzise thermische und chemische Bedingungen benötigt. Unsere Semicera-Produkte gewährleisten optimale Leistung in Umgebungen, die Folgendes erfordern:MOCVD-Suszeptor, wo hochwertige Siliziumkarbidschichten auf Substraten abgeschieden werden. Dies trägt zur Verbesserung beiWaferQualität und höhere Geräteeffizienz in der Halbleiterproduktion.

SemicerasSiC-Paddelsind nicht nur dafür konzipiertSi-Epitaxiesondern auch auf eine Reihe anderer kritischer Anwendungen zugeschnitten. Sie sind beispielsweise mit PSS-Ätzträgern kompatibel, die für die Herstellung von LED-Wafern unerlässlich sindICP-Ätzträger, wo eine präzise Ionenkontrolle zum Formen von Wafern erforderlich ist. Diese Paddel sind ein wesentlicher Bestandteil von Systemen wieRTP-Anbieter(Rapid Thermal Processing), bei dem schnelle Temperaturübergänge und eine hohe Wärmeleitfähigkeit von größter Bedeutung sind.

Darüber hinaus dienen SiC-Paddel als LED-Epitaxial-Suszeptoren und erleichtern das Wachstum hocheffizienter LED-Wafer. Die Fähigkeit, mit unterschiedlichen thermischen und umweltbedingten Belastungen umzugehen, macht sie äußerst vielseitig für verschiedene Halbleiterherstellungsprozesse.

Insgesamt ist Semicera bestrebt, SiC-Paddel zu liefern, die den hohen Anforderungen der modernen Halbleiterfertigung entsprechen. Von der SiC-Epitaxie bis hin zu MOCVD-Suszeptoren sorgen unsere Lösungen für verbesserte Zuverlässigkeit und Leistung und erfüllen die neuesten Anforderungen der Branche.