Siliziumkarbid-Tabletts, auch SiC-Trays genannt, sind wichtige Materialien zum Transport von Siliziumwafern im Halbleiterfertigungsprozess. Siliziumkarbid verfügt über hervorragende Eigenschaften wie hohe Härte, hohe Temperaturbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit und ersetzt daher nach und nach traditionelle Materialien wie Quarz und Keramikschalen in der Halbleiterindustrie. Mit der Entwicklung der Halbleiterindustrie, insbesondere in den Bereichen 5G, optoelektronische Geräte, Leistungselektronik usw., steigt auch die Nachfrage nach Siliziumkarbid-Trays.
SemiceraSiliziumkarbid-TablettsVerwenden Sie während des Herstellungsprozesses fortschrittliche Sinterprozesse, um die hohe Dichte und Festigkeit der Schalen sicherzustellen, die es ihnen ermöglichen, unter rauen Bedingungen wie hohen Temperaturen und hohem Druck eine stabile Leistung aufrechtzuerhalten. Gleichzeitig kann der niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient von Siliziumkarbidschalen den Einfluss von Temperaturänderungen auf die Verarbeitungsgenauigkeit verringernSiliziumwafer, wodurch die Produktausbeute verbessert wird.
DerSiliziumkarbid-TablettsDie von Semicera entwickelten Produkte eignen sich nicht nur für die Verarbeitung traditionellerSiliziumwafer, kann aber auch bei der Herstellung von Siliziumkarbid-Wafern verwendet werden, was für die zukünftige Entwicklung der Halbleiterindustrie von entscheidender Bedeutung ist. Siliziumkarbid-Wafer verfügen über eine höhere Elektronenmobilität und eine bessere Wärmeleitfähigkeit, was die Arbeitseffizienz und Leistung von Geräten erheblich verbessern kann. Daher steigt auch die Nachfrage nach für die Herstellung geeigneten Schalen aus Siliziumkarbid.
Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung der Halbleiterfertigungstechnologie werden auch das Design und der Herstellungsprozess von Siliziumkarbid-Trays optimiert. Semicera wird auch in Zukunft daran arbeiten, die Leistung von Siliziumkarbid-Paletten zu verbessern, um der Marktnachfrage nach hochpräzisen und zuverlässigen Paletten gerecht zu werden. Der weit verbreitete Einsatz von Siliziumkarbid-Paletten fördert nicht nur die Entwicklung von Halbleiterfertigungsprozessen, sondern bietet auch starke Unterstützung für die Realisierung effizienterer und stabilerer elektronischer Produkte.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 30. August 2024