Unsere Produktionsschritte für SiC-Substrate sind wie folgt:
1. Kristallorientierung: Verwendung von Röntgenbeugung zur Ausrichtung des Kristallbarrens.Wenn ein Röntgenstrahl auf die gewünschte Kristallfläche gerichtet wird, bestimmt der Winkel des gebeugten Strahls die Kristallorientierung.
2. Schleifen des Außendurchmessers: In Graphittiegeln gezüchtete Einkristalle überschreiten oft den Standarddurchmesser.Durch Schleifen des Außendurchmessers werden sie auf Standardgrößen reduziert.
Endflächenschleifen: 4-Zoll-4H-SiC-Substrate haben typischerweise zwei Positionierungskanten, eine primäre und eine sekundäre.Durch das Stirnflächenschleifen werden diese Positionierkanten freigelegt.
3. Drahtsägen: Das Drahtsägen ist ein entscheidender Schritt bei der Verarbeitung von 4H-SiC-Substraten.Risse und Untergrundschäden, die beim Drahtsägen entstehen, wirken sich negativ auf nachfolgende Prozesse aus, verlängern die Bearbeitungszeit und verursachen Materialverlust.Die gebräuchlichste Methode ist das Mehrdrahtsägen mit Diamantschleifmittel.Zum Schneiden des 4H-SiC-Barrens wird eine hin- und hergehende Bewegung von mit Diamantschleifmitteln verbundenen Metalldrähten verwendet.
4. Anfasen: Um ein Absplittern der Kanten zu verhindern und Verbrauchsmaterialverluste bei nachfolgenden Prozessen zu reduzieren, werden die scharfen Kanten der drahtgesägten Späne auf bestimmte Formen abgeschrägt.
5. Ausdünnung: Beim Drahtsägen entstehen viele Kratzer und Schäden unter der Oberfläche.Die Ausdünnung erfolgt mit Diamantscheiben, um diese Mängel so weit wie möglich zu beseitigen.
6. Schleifen: Dieser Prozess umfasst das Grob- und Feinschleifen mit kleineren Borkarbid- oder Diamantschleifmitteln, um Restschäden und neue Schäden, die beim Ausdünnen entstanden sind, zu entfernen.
7. Polieren: Die letzten Schritte umfassen das Grobpolieren und Feinpolieren mit Aluminiumoxid- oder Siliziumoxid-Schleifmitteln.Die Polierflüssigkeit erweicht die Oberfläche, die anschließend durch Schleifmittel mechanisch abgetragen wird.Dieser Schritt sorgt für eine glatte und unbeschädigte Oberfläche.
8. Reinigung: Entfernen von Partikeln, Metallen, Oxidfilmen, organischen Rückständen und anderen Verunreinigungen, die von den Verarbeitungsschritten zurückgeblieben sind.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 15. Mai 2024