Vorbereitungsprozess der SIC-Beschichtung

Derzeit sind die Herstellungsmethoden vonSiC-BeschichtungDazu gehören hauptsächlich das Gel-Sol-Verfahren, das Einbettverfahren, das Bürstenbeschichtungsverfahren, das Plasmaspritzverfahren, das chemische Dampfreaktionsverfahren (CVR) und das chemische Dampfabscheidungsverfahren (CVD).

Einbettungsmethode
Bei diesem Verfahren handelt es sich um eine Art Hochtemperatur-Festphasensintern, bei dem hauptsächlich Si-Pulver und C-Pulver als Einbettungspulver verwendet werdenGraphitmatrixin das Einbettungspulver eingelegt und bei hoher Temperatur in Inertgas gesintert und schließlich erhaltenSiC-Beschichtungauf der Oberfläche der Graphitmatrix. Dieses Verfahren ist einfach im Prozess und die Beschichtung und die Matrix sind gut verbunden, aber die Gleichmäßigkeit der Beschichtung entlang der Dickenrichtung ist schlecht und es entstehen leicht mehr Löcher, was zu einer schlechten Oxidationsbeständigkeit führt.

Pinselbeschichtungsverfahren
Bei der Bürstenbeschichtungsmethode wird hauptsächlich das flüssige Rohmaterial auf die Oberfläche der Graphitmatrix gebürstet und das Rohmaterial dann bei einer bestimmten Temperatur verfestigt, um die Beschichtung vorzubereiten. Dieses Verfahren ist einfach im Prozess und kostengünstig, aber die durch das Bürstenbeschichtungsverfahren hergestellte Beschichtung weist eine schwache Bindung mit der Matrix, eine schlechte Beschichtungsgleichmäßigkeit, eine dünne Beschichtung und eine geringe Oxidationsbeständigkeit auf und erfordert andere Methoden zur Unterstützung.

Plasmaspritzverfahren
Bei der Plasmaspritzmethode wird hauptsächlich eine Plasmapistole verwendet, um geschmolzene oder halbgeschmolzene Rohstoffe auf die Oberfläche des Graphitsubstrats zu sprühen und diese dann zu verfestigen und zu verbinden, um eine Beschichtung zu bilden. Diese Methode ist einfach durchzuführen und kann eine relativ dichte Masse herstellenSiliziumkarbidbeschichtung, aber dieSiliziumkarbidbeschichtungDas mit dieser Methode hergestellte Material ist oft zu schwach, um eine starke Oxidationsbeständigkeit zu haben. Daher wird es im Allgemeinen zur Herstellung von SiC-Verbundbeschichtungen verwendet, um die Qualität der Beschichtung zu verbessern.

Gel-Sol-Methode
Bei der Gel-Sol-Methode wird hauptsächlich eine gleichmäßige und transparente Sollösung hergestellt, um die Oberfläche des Substrats zu bedecken, sie zu einem Gel zu trocknen und dann zu einer Beschichtung zu sintern. Dieses Verfahren ist einfach durchzuführen und kostengünstig, die hergestellte Beschichtung weist jedoch Nachteile wie eine geringe Temperaturwechselbeständigkeit und leichte Rissbildung auf und kann daher nicht weit verbreitet eingesetzt werden.

Chemische Dampfreaktionsmethode (CVR)
CVR erzeugt hauptsächlich SiO-Dampf durch die Verwendung von Si- und SiO2-Pulver bei hoher Temperatur, und auf der Oberfläche des C-Materialsubstrats findet eine Reihe chemischer Reaktionen statt, um eine SiC-Beschichtung zu erzeugen. Die mit diesem Verfahren hergestellte SiC-Beschichtung ist fest mit dem Substrat verbunden, die Reaktionstemperatur ist jedoch hoch und die Kosten sind ebenfalls hoch.