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Was sind Leistungshalbleiter? Das schnelle Wachstum dieses Marktes verstehen!
Als eines der führenden Unternehmen der Branche ist Semicera bestrebt, unseren Kunden innovative Lösungen anzubieten. In diesem Artikel werden wir das Konzept der Leistungshalbleiter untersuchen und verstehen, warum dieser Markt ein schnelles Wachstum erlebt. Leistungshalbleiter verstehen...Mehr lesen -
Produktionstechnologie und Hauptanwendungen von isostatisch gepresstem Graphit
Isostatisch gepresster Graphit ist ein neuartiges Graphitmaterial, das eine hervorragende elektrische Leitfähigkeit, hohe Temperaturbeständigkeit und chemische Stabilität aufweist und daher in vielen High-Tech-Bereichen weit verbreitet ist. In diesem Artikel werden der Produktionsprozess, die wichtigsten ... im Detail vorgestellt.Mehr lesen -
Erforschung epitaktischer Halbleiterscheiben aus Siliziumkarbid: Leistungsvorteile und Anwendungsaussichten
Im heutigen Bereich der elektronischen Technologie spielen Halbleitermaterialien eine entscheidende Rolle. Darunter Siliziumkarbid (SiC) als Halbleitermaterial mit großer Bandlücke und hervorragenden Leistungsvorteilen wie einem hohen elektrischen Durchschlagsfeld, einer hohen Sättigungsgeschwindigkeit und hoher Geschwindigkeit.Mehr lesen -
Graphit-Hartfilz – innovatives Material, eröffnet eine neue Ära der Wissenschaft und Technologie
Da es sich bei Graphit-Hartfilz um ein neues Material handelt, ist der Herstellungsprozess recht einzigartig. Während des Misch- und Verfilzungsprozesses interagieren Graphenfasern und Glasfasern und bilden ein neues Material, das sowohl die hohe elektrische Leitfähigkeit als auch die hohe Festigkeit von Graphen beibehält und ...Mehr lesen -
Was ist ein Halbleiter-Siliziumkarbid-Wafer (SiC)?
Halbleiter-Siliziumkarbid-Wafer (SiC). Dieses neue Material ist in den letzten Jahren nach und nach entstanden und hat mit seinen einzigartigen physikalischen und chemischen Eigenschaften der Halbleiterindustrie neue Dynamik verliehen. SiC-Wafer, die Einkristalle als Rohstoff verwenden, werden sorgfältig g...Mehr lesen -
Herstellungsverfahren für Siliziumkarbid-Wafer
Siliziumkarbid-Wafer werden aus hochreinem Siliziumpulver und hochreinem Kohlenstoffpulver als Rohstoffe hergestellt, und Siliziumkarbid-Kristalle werden durch die physikalische Dampfübertragungsmethode (PVT) gezüchtet und zu Siliziumkarbid-Wafern verarbeitet. ① Rohstoffsynthese. Hochreines Silicium...Mehr lesen -
Siliziumkarbid-Beschichtung: der neue Liebling der Halbleiterindustrie
Mit der rasanten Entwicklung der Halbleiterindustrie entwickelt sich das neue Material Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung nach und nach zum Starmaterial der Branche. Mit Siliziumkarbid beschichteter Graphit wird häufig in Hochtemperatur-/Hochspannungs-Halbleiterelektronikprodukten verwendet ...Mehr lesen -
Siliziumkarbid-Beschichtungen: Neue Durchbrüche in der Materialwissenschaft
Mit der Entwicklung von Wissenschaft und Technologie verändert das neue Material Siliziumkarbidbeschichtung nach und nach unser Leben. Diese Beschichtung, die auf der Oberfläche von Teilen durch physikalische oder chemische Gasphasenabscheidung, Sprühen und andere Methoden hergestellt wird, hat große Aufmerksamkeit erregt...Mehr lesen -
SiC-beschichteter Graphitschaft
Als einer der Kernbestandteile von MOCVD-Geräten ist die Graphitbasis der Träger und Heizkörper des Substrats, der direkt die Gleichmäßigkeit und Reinheit des Filmmaterials bestimmt, sodass sich seine Qualität direkt auf die Vorbereitung der Epitaxieschicht auswirkt. ..Mehr lesen -
Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbidbeschichtung
Derzeit umfassen die Vorbereitungsmethoden für die SiC-Beschichtung hauptsächlich das Gel-Sol-Verfahren, das Einbettverfahren, das Bürstenbeschichtungsverfahren, das Plasmaspritzverfahren, das chemische Gasreaktionsverfahren (CVR) und das chemische Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD). Einbettungsmethode: Die Methode ist eine Art Hoch...Mehr lesen -
Herzlichen Glückwunsch an unseren (Semicera), Partner, SAN 'an Optoelectronics, zum Anstieg des Aktienkurses
24. Okt. – Die Aktien von San'an Optoelectronics stiegen heute um bis zu 3,8, nachdem der chinesische Halbleiterhersteller bekannt gab, dass seine Siliziumkarbidfabrik, die das Autochip-Joint-Venture des Unternehmens mit dem Schweizer Technologiegiganten ST Microelectronics beliefern wird, sobald sie fertiggestellt ist. .Mehr lesen -
Durchbruch in der Siliziumkarbid-Epitaxie-Technologie: Vorreiter bei der Herstellung von Silizium-/Karbid-Epitaxie-Reaktoren in China
Wir freuen uns, einen bahnbrechenden Erfolg in der Kompetenz unseres Unternehmens in der Siliziumkarbid-Epitaxie-Technologie bekannt geben zu können. Unser Werk ist stolz darauf, einer der führenden Hersteller in China zu sein, der Silizium/Karbid-Epitaxiereaktoren herstellen kann. Mit unserem Engagement für außergewöhnliche Qualität...Mehr lesen