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Anwendungsaussichten von Siliziumkarbid-Waferbooten im Halbleiterbereich
Im Halbleiterbereich ist die Materialauswahl entscheidend für die Geräteleistung und die Prozessentwicklung. In den letzten Jahren haben Siliziumkarbid-Wafer als aufstrebendes Material große Aufmerksamkeit erregt und großes Potenzial für die Anwendung im Halbleiterbereich gezeigt. Silikon...Mehr lesen -
Anwendungsaussichten von Siliziumkarbidkeramik im Bereich der photovoltaischen Solarenergie
Da die weltweite Nachfrage nach erneuerbaren Energien in den letzten Jahren gestiegen ist, hat die Photovoltaik-Solarenergie als saubere, nachhaltige Energieoption immer mehr an Bedeutung gewonnen. Bei der Entwicklung der Photovoltaik-Technologie spielen die Materialwissenschaften eine entscheidende Rolle. Darunter Siliziumkarbidkeramik, eine...Mehr lesen -
Herstellungsverfahren für übliche TaC-beschichtete Graphitteile
PART/1CVD-Methode (Chemical Vapour Deposition): Bei 900–2300 °C, unter Verwendung von TaCl5 und CnHm als Tantal- und Kohlenstoffquellen, H₂ als reduzierende Atmosphäre, Ar₂ als Trägergas, Reaktionsabscheidungsfilm. Die vorbereitete Beschichtung ist kompakt, gleichmäßig und von hoher Reinheit. Allerdings gibt es einige Probleme...Mehr lesen -
Anwendung von TaC-beschichteten Graphitteilen
TEIL/1 Tiegel, Impfkristallhalter und Führungsring im SiC- und AIN-Einkristallofen wurden mit der PVT-Methode gezüchtet. Wie in Abbildung 2 [1] gezeigt, befindet sich der Impfkristall darin, wenn zur Herstellung von SiC die physikalische Dampftransportmethode (PVT) verwendet wird der relativ niedrige Temperaturbereich, der SiC r...Mehr lesen -
Struktur und Wachstumstechnologie von Siliziumkarbid (Ⅱ)
Viertens: Physikalische Dampftransportmethode Die physikalische Dampftransportmethode (PVT) hat ihren Ursprung in der 1955 von Lely erfundenen Dampfphasensublimationstechnologie. Das SiC-Pulver wird in ein Graphitrohr gegeben und auf hohe Temperatur erhitzt, um das SiC-Pulver zu zersetzen und zu sublimieren.Mehr lesen -
Struktur und Wachstumstechnologie von Siliziumkarbid (Ⅰ)
Erstens die Struktur und Eigenschaften des SiC-Kristalls. SiC ist eine binäre Verbindung, die aus Si-Element und C-Element im Verhältnis 1:1 besteht, d. h. 50 % Silizium (Si) und 50 % Kohlenstoff (C), und ihre Grundstruktureinheit ist das SI-C-Tetraeder. Schematische Darstellung eines Siliziumkarbid-Tetraeders...Mehr lesen -
Vorteile der Tantalkarbidbeschichtung in Halbleiterprodukten
Mit dem kontinuierlichen Fortschritt von Wissenschaft und Technologie spielen Halbleiterprodukte eine immer wichtigere Rolle in unserem Leben. Im Halbleiterfertigungsprozess hat der Einsatz von Beschichtungstechnologie zunehmend an Bedeutung gewonnen. Als Material weit...Mehr lesen -
Siliziumkarbiddüsen in der elektronischen Halbleiterfertigung
Siliziumkarbiddüsen spielen eine wichtige Rolle bei der Herstellung elektronischer Halbleiter. Dabei handelt es sich um Geräte zum Versprühen von Flüssigkeiten oder Gasen, die häufig zur nasschemischen Behandlung in der Halbleiterfertigung eingesetzt werden. Die Sic-Düse bietet die Vorteile einer hohen Temperaturbeständigkeit, ...Mehr lesen -
Hervorragende Leistung des Siliziumkarbid-Kristallschiffchens in Umgebungen mit hohen Temperaturen
Siliziumkarbid-Kristallboot ist ein Material mit hervorragenden Eigenschaften, das in Umgebungen mit hohen Temperaturen eine außergewöhnliche Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweist. Es handelt sich um eine Verbindung aus Kohlenstoff- und Siliziumelementen mit hoher Härte, hohem Schmelzpunkt und ausgezeichneter thermischer...Mehr lesen -
Entdecken Sie die einzigartigen Eigenschaften und Anwendungen von Glaskohlenstoff
Kohlenstoff ist eines der häufigsten Elemente in der Natur und umfasst die Eigenschaften fast aller auf der Erde vorkommenden Substanzen. Es weist ein breites Spektrum an Eigenschaften auf, wie z. B. unterschiedliche Härte und Weichheit, Isolations-Halbleiter-Supraleiter-Verhalten, Wärmeisolations-Supraleitung und Li...Mehr lesen -
Wenn Glassy Carbon auf Innovation trifft: Semicera führt die Revolution in der Glassy Carbon-Beschichtungstechnologie an
Glaskohlenstoff, auch Glaskohlenstoff oder Glaskohlenstoff genannt, vereint die Eigenschaften von Glas und Keramik zu einem nicht-graphitischen Kohlenstoffmaterial. Zu den Unternehmen, die bei der Entwicklung fortschrittlicher glasartiger Kohlenstoffmaterialien an vorderster Front stehen, gehört Semicera, ein führender Hersteller, der sich auf kohlenstoffbasierte Materialien spezialisiert hat.Mehr lesen -
Semicera stellt innovative Graphitprodukte vor und bietet der Branche herausragende Lösungen
Semicera, ein weltweit führender Hersteller von Graphitprodukten, hat kürzlich die Einführung einer Reihe innovativer Produkte angekündigt, die der Branche außergewöhnliche Lösungen bieten. Als führendes Unternehmen in diesem Bereich ist Semicera bestrebt, qualitativ hochwertige und leistungsstarke Graphitprodukte anzubieten...Mehr lesen