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Impfkristall-Vorbereitungsprozess bei der SiC-Einkristallzüchtung (Teil 2)
2. Experimenteller Prozess 2.1 Aushärtung des Klebefilms Es wurde beobachtet, dass die direkte Erzeugung eines Kohlenstofffilms oder die Verbindung mit Graphitpapier auf mit Klebstoff beschichteten SiC-Wafern zu mehreren Problemen führte: 1. Unter Vakuumbedingungen entwickelte der Klebefilm auf SiC-Wafern ein schuppenartiges Aussehen unterschreiben...Mehr lesen -
Verfahren zur Herstellung von Impfkristallen bei der Züchtung von SiC-Einkristallen
Siliziumkarbid (SiC)-Material hat die Vorteile einer großen Bandlücke, einer hohen Wärmeleitfähigkeit, einer hohen kritischen Durchbruchsfeldstärke und einer hohen Geschwindigkeit der gesättigten Elektronendrift, was es für die Halbleiterfertigung äußerst vielversprechend macht. SiC-Einkristalle werden im Allgemeinen durch ... hergestellt.Mehr lesen -
Welche Methoden gibt es zum Polieren von Wafern?
Von allen Prozessen, die zur Herstellung eines Chips erforderlich sind, besteht das endgültige Schicksal des Wafers darin, in einzelne Chips geschnitten und in kleine, geschlossene Schachteln verpackt zu werden, wobei nur wenige Stifte freiliegen. Der Chip wird anhand seiner Schwellen-, Widerstands-, Strom- und Spannungswerte bewertet, aber niemand wird darüber nachdenken ...Mehr lesen -
Die grundlegende Einführung des epitaktischen Wachstumsprozesses von SiC
Die Epitaxieschicht ist ein spezifischer Einkristallfilm, der durch einen Epitaxieprozess auf dem Wafer gezüchtet wird, und der Substratwafer und der Epitaxiefilm werden Epitaxiewafer genannt. Durch das Aufwachsen der Siliziumkarbid-Epitaxieschicht auf dem leitfähigen Siliziumkarbidsubstrat entsteht die homogene Siliziumkarbid-Epitaxie...Mehr lesen -
Kernpunkte der Qualitätskontrolle des Halbleiterverpackungsprozesses
Wichtige Punkte für die Qualitätskontrolle im Halbleiterverpackungsprozess. Derzeit wurde die Prozesstechnologie für die Halbleiterverpackung erheblich verbessert und optimiert. Insgesamt gesehen sind die Prozesse und Methoden zur Halbleiterverpackung jedoch noch nicht ganz ausgereift.Mehr lesen -
Herausforderungen im Halbleiterverpackungsprozess
Die aktuellen Techniken für die Halbleiterverpackung verbessern sich allmählich, aber das Ausmaß, in dem automatisierte Geräte und Technologien bei der Halbleiterverpackung eingesetzt werden, bestimmt direkt die Verwirklichung der erwarteten Ergebnisse. Die bestehenden Halbleiter-Packaging-Prozesse leiden immer noch unter...Mehr lesen -
Forschung und Analyse des Halbleiterverpackungsprozesses
Überblick über den HalbleiterprozessDer Halbleiterprozess umfasst in erster Linie die Anwendung von Mikrofertigungs- und Filmtechnologien, um Chips und andere Elemente in verschiedenen Bereichen, wie z. B. Substraten und Rahmen, vollständig zu verbinden. Dies erleichtert das Herausziehen der Anschlussklemmen und das Verkapseln mit einem...Mehr lesen -
Neue Trends in der Halbleiterindustrie: Die Anwendung der Schutzbeschichtungstechnologie
Die Halbleiterindustrie erlebt ein beispielloses Wachstum, insbesondere im Bereich der Leistungselektronik aus Siliziumkarbid (SiC). Da viele große Waferfabriken gebaut oder erweitert werden, um der steigenden Nachfrage nach SiC-Bauelementen in Elektrofahrzeugen gerecht zu werden, ist dies ...Mehr lesen -
Was sind die Hauptschritte bei der Verarbeitung von SiC-Substraten?
Unsere Produktions- und Verarbeitungsschritte für SiC-Substrate sind wie folgt: 1. Kristallausrichtung: Verwendung von Röntgenbeugung zur Ausrichtung des Kristallbarrens. Wenn ein Röntgenstrahl auf die gewünschte Kristallfläche gerichtet wird, bestimmt der Winkel des gebeugten Strahls die Kristallorientierung...Mehr lesen -
Ein wichtiges Material, das die Qualität des Wachstums von einkristallinem Silizium bestimmt – das thermische Feld
Der Wachstumsprozess von einkristallinem Silizium erfolgt vollständig im thermischen Feld. Ein gutes Wärmefeld trägt zur Verbesserung der Kristallqualität bei und sorgt für eine hohe Kristallisationseffizienz. Die Gestaltung des Wärmefeldes bestimmt maßgeblich die Veränderungen und Veränderungen...Mehr lesen -
Was ist epitaktisches Wachstum?
Epitaxiales Wachstum ist eine Technologie, bei der eine Einkristallschicht auf einem Einkristallsubstrat (Substrat) mit der gleichen Kristallorientierung wie das Substrat gezüchtet wird, als ob sich der ursprüngliche Kristall nach außen ausgedehnt hätte. Diese neu gewachsene Einkristallschicht kann sich hinsichtlich der Zusammensetzung vom Substrat unterscheiden.Mehr lesen -
Was ist der Unterschied zwischen Substrat und Epitaxie?
Im Wafervorbereitungsprozess gibt es zwei Kernglieder: Zum einen die Vorbereitung des Substrats und zum anderen die Durchführung des Epitaxieprozesses. Das Substrat, ein sorgfältig aus Halbleiter-Einkristallmaterial gefertigter Wafer, kann direkt in die Wafer-Herstellung eingesetzt werden ...Mehr lesen